请问,MTK充电器接触不良系统是如何判定的?
我猜想的几个原因,请高人指点:
1,charger in 电压幅值不符合要求.
2,charger detect信号不稳定
3,对VBAT的电压采样,一定充电时间后电压没有任何变化的.
1. charge in其实是检测Vchg电压的输入ADC PIN
2. charger detect 连接的是CHRDET,是一个开机中断输入PIN,高有效
3. charge Control连接的是CHREN,也是开机中断输入PIN,低有效,与2是逻辑非的或关系
普通情况下,2连接VCHG,当插入充电器的时候,高电平开机中断唤醒PMU,也就是插入充电器自动开机;1是通过软件检测VCHG电压,当有反复高到低(大致检测3次以上,<3次的认为是EMI)的阶越跳变的时候,认为是充电器接触不良(同理检测VBAT的ADC也可以做判别电池接触不良)
在后续的系统优化设计中(如6318),MTK把CHG_DET与CHG_IN,CHG_DET做到了PMU内部并且删除了CHREN来精简设计,外面只引出一个PIN
充电过程则是一个传统的P-MOS的充电控制回路,其中后端接一个精密采样电阻,两端引出PIN脚到PMU对其电压采样,建立一个二元一次方程组的模型计算PMOS的充电线性区斜率(而电池ADC校准也就是对电池充电的线性区限制一个充电截止与电池关机截止的区间).所以,这个采样电阻的精度与温漂要求比较高
谢谢2楼SteveHall的回答,学习到很多。
charge Control--按照字面的意思是充电控制,我查看了图纸是MT6305的CHRCNTL连接到BB的GPIO,怎么会是中断呢?还是有的方案是连接到外部INT?
小编,充电器不良有很多种原因,比如充电器功率太低,电压容易被拉下来,当然接触不良,接触电阻过大等都会造成在PMU端实际的充电电压太低。软件可以通过检测充电电压,充电电流,以及CHGDET的电平来判断充电器是否OK。
多谢 super_gu的回答.
充电控制是 GATEDRV啊,控制SI3441栅级
问题是,据我的了解,MT6305的GATEDRV应该是在CPU控制下才能输出吧,此时MT6305应该是一个缓冲驱动接口.
2 GATEDRV Gate Drive Output
5 CHRCNTL Microprocessor Control Input Signal for Gate Drive, Internal Pull Low to DGND
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