设计LNA进入迷途，请大家指点！
12-11
用CMOS设计LNA，结果莫名其妙，不知下一步该怎么做才好，请大家指点迷津！
LNA调试现状
电路拓扑结构：采用单端共源共栅结构
电路中的电感采用理想电感，bias采用理想电压源，共栅级mos与共源级MOS参数相同。
选择共源级mos的宽度以保证mos的Cgs+Cgd+Cgb与电感ls、lg在要求频率共振
仿真结果：pss仿真，电路在直流情况下具有很大增益，在要求频率增益为负
s11在低频时（非直流）教大，在理想频率下为负
s21 s12均为很大的负数
s22在理想频段为较大的负数（貌似只有这一点还算跟理想比较接近）
在理想频率下做瞬态仿真，结果输出电压摆幅达到2倍Vdd水平，怀疑发生震荡
多谢！
LNA调试现状
电路拓扑结构：采用单端共源共栅结构
电路中的电感采用理想电感，bias采用理想电压源，共栅级mos与共源级MOS参数相同。
选择共源级mos的宽度以保证mos的Cgs+Cgd+Cgb与电感ls、lg在要求频率共振
仿真结果：pss仿真，电路在直流情况下具有很大增益，在要求频率增益为负
s11在低频时（非直流）教大，在理想频率下为负
s21 s12均为很大的负数
s22在理想频段为较大的负数（貌似只有这一点还算跟理想比较接近）
在理想频率下做瞬态仿真，结果输出电压摆幅达到2倍Vdd水平，怀疑发生震荡
多谢！
看看K因子不就知道了，或者看看频谱。
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