为什么Nor flash的插除速度要远远慢于Nand flash
05-08
各位高手,想请教大家一个问题,为什么Nor flash的插除速度
要远远慢于Nand flash,他们擦除都是以块为单位,擦除应该是
并行的吧,从cell的组成来看都是浮动栅极、源极、漏级,只是它们
的排列组织不一样,但是从擦除的角度而言应该时间不会差这么多。
问题的根源是什么?
谢谢。
要远远慢于Nand flash,他们擦除都是以块为单位,擦除应该是
并行的吧,从cell的组成来看都是浮动栅极、源极、漏级,只是它们
的排列组织不一样,但是从擦除的角度而言应该时间不会差这么多。
问题的根源是什么?
谢谢。
难道没人知道吗?
做芯片的可能要了解这么多吧,对于使用而言只要了解时间多少就行了
没有具体对比过数据,不过nor有sector擦除和整片擦除模式,
nand以块为单位写入和擦除,而nor以bit为单位
射频专业培训教程推荐