待机电流过大,为什么?
1。I2C的上拉电阻多大,4.7K可能会造成1mA的漏电。
2。TVS的工作电压是多少,如果太低,有击穿的可能。
3。TVS有没有极性?如果极性放反,可能会造成大电流。
我的经验:
1、IIC的上拉电阻会漏电
2、控制senser sleep的那个GPIO漏电
小编用的是哪家的TVS管,我曾经用了一个厂家的TVS管也同样有漏电的情况,
后来发现,他家的TVS管spec与实际不相符,
就是反向击穿电压VBR偏低
4.7K是建议电阻,没必要修改,参考设计就是这样
I2C总线当没有信号时总是处于高(= VIO),根本不会有leak current,只有有信号拉低时候才有电流,而通常I2C一个CLK有效时间是很短的,这个有效时间是动态的。如同PWM控制一样有效持续时间(占空比)很短。
如果是关LDO,那么SLAVE I2C接受端IO电平就未知,IO状态未知的情况下就可能发生主-1、从-0的电平GAP而导致静态电流泄露
所以我在很多地方都指出了关LDO这种粗暴设计的弊端。原因在此。
以上是对于非同步关断的情况,即HOST上电,SLAVE关机的可能存在IO bus current leakage分析。所以,只有保持POWER SUPPLY同步供应,或者符合上电下电时序:SLAVE要么处于SUSPEND,要么处于RESET(此时电流消耗极小),而不可关闭电源,这样就能使IO状态兼容,不致引起从设备失电而通过主设备BUS漏电的现象。
I2C,SPI,I2S,DATA BUS这些总线连接受制于此情况,而UART,USB等总线允许主、从设备电源非同步供应!
关于IC失电IO口状态:
可能为1,也可能为0。IO口状态是由内部MOS通/断来决定(在正常工作情况下寄存器控制内部MOS输入极电平),当完全失电时,MOS输入极呈现高阻,此时IO内部MOS极易受EMI干扰而状态0/1反复翻转,也就是IO内部MOS时而导通时而截止(也就是状态未知),当MOS受干扰导通的瞬间,也就是对地低阻,此时就发生漏电的情况!
采用OV Image Sensor IC的Module很多都在广东一带小厂Assembly,各配套厂家设计与品质控制水准差异较大。我怀疑某些型号OV的Sensor PWDN PIN并不是使Image Sensor进入SUSPEND,而是彻底关了VDD?!Sensor是挂在MMP上作为MMP的SLAVE,当SENSOR关闭时候,MMP如果保持上电,就有可能存在IO状态不兼容(HOST配置输出高 VS SLAVE掉电输入低阻),这样通常解决是连MMP的VDD及I2C上拉VDD也一同关闭。但是这也只解决了CAMERA的静态电流问题,在MMP开启的时候(如解MP4),一样还原到了漏电的情况,只不过MMP使用时间远少于MMP与CAMERA关闭时间,表现不明显而已!
但是另一个问题:MMP作为BB来说,又是BB的SLAVE,关MMP LDO会造成BB与MMP的IO状态不兼容。可能ARM核设计比较好,低功耗与EMI性能优秀,静态IO漏电流出现的可能性(时间比)不是很大,但毕竟是系统供电架构设计的隐患。
所以在同一系统中尽量避免电源非同步供应的模式。有些摄像头模组厂应该多考虑改进下控制电路,而不是由DH来迁就设计
以上是对于非同步关断的情况,即HOST上电,SLAVE关机的可能存在IO bus current leakage分析。所以,只有保持POWER SUPPLY同步供应,或者符合上电下电时序:SLAVE要么处于SUSPEND,要么处于RESET(此时电流消耗极小),而不可关闭电源,这样就能使IO状态兼容,不致引起从设备失电而通过主设备BUS漏电的现象。
I2C,SPI,I2S,DATA BUS这些总线连接受制于此情况,而UART,USB等总线允许主、从设备电源非同步供应!
关于IC失电IO口状态:
可能为1,也可能为0。IO口状态是由内部MOS通/断来决定(在正常工作情况下寄存器控制内部MOS输入极电平),当完全失电时,MOS输入极呈现高阻,此时IO内部MOS极易受EMI干扰而状态0/1反复翻转,也就是IO内部MOS时而导通时而截止(也就是状态未知),当MOS受干扰导通的瞬间,也就是对地低阻,此时就发生漏电的情况!
采用OV Image Sensor IC的Module很多都在广东一带小厂Assembly,各配套厂家设计与品质控制水准差异较大。我怀疑某些型号OV的Sensor PWDN PIN并不是使Image Sensor进入SUSPEND,而是彻底关了VDD?!Sensor是挂在MMP上作为MMP的SLAVE,当SENSOR关闭时候,MMP如果保持上电,就有可能存在IO状态不兼容(HOST配置输出高 VS SLAVE掉电输入低阻),这样通常解决是连MMP的VDD及I2C上拉VDD也一同关闭。但是这也只解决了CAMERA的静态电流问题,在MMP开启的时候(如解MP4),一样还原到了漏电的情况,只不过MMP使用时间远少于MMP与CAMERA关闭时间,表现不明显而已!
但是另一个问题:MMP作为BB来说,又是BB的SLAVE,关MMP LDO会造成BB与MMP的IO状态不兼容。可能ARM核设计比较好,低功耗与EMI性能优秀,静态IO漏电流出现的可能性(时间比)不是很大,但毕竟是系统供电架构设计的隐患。
所以在同一系统中尽量避免电源非同步供应的模式。有些摄像头模组厂应该多考虑改进下控制电路,而不是由DH来迁就设计
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