影响手机消耗电流的因素
05-08
一直以来不甚明白的问题.手机基带与消耗电流的关系
1)平台与电流的关系
在我的经验里是非常重要的.以Qualcom为例,MSM61**系列sleep current最小可以做到0.6mA;MSM60**系列最小可以1.0mA.但是GSM常用芯片我完全不了解,哪位朋友详细说明一下?
2)H/W(主要基带)与电流的关系
这是基带版块,请高手不吝赐教.小小疑问,走线宽度是不是与电流消耗也有关系.RF connector与 ANT之间的路径损耗大不大?
3)SW与电流的关系
主要在功能实现方面,手机某个功能结束后,能不能正常回到待机状态,等等
4)其他方面 欢迎大家补充
发这样的帖子就能挣2RD币,实在很不好意思,希望能开个头吧,大家多探讨
1)平台与电流的关系
在我的经验里是非常重要的.以Qualcom为例,MSM61**系列sleep current最小可以做到0.6mA;MSM60**系列最小可以1.0mA.但是GSM常用芯片我完全不了解,哪位朋友详细说明一下?
2)H/W(主要基带)与电流的关系
这是基带版块,请高手不吝赐教.小小疑问,走线宽度是不是与电流消耗也有关系.RF connector与 ANT之间的路径损耗大不大?
3)SW与电流的关系
主要在功能实现方面,手机某个功能结束后,能不能正常回到待机状态,等等
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个人意见:
走线的线宽和电流的消耗关系应该不大,现宽会影响到最大过电流。
倒是觉得上拉电阻和下拉电阻的选择,芯间的电平匹配会影响到电流
好象芯片本身工艺级别对电流关系很大,65N米好象很省电的说。
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