高通RF技术期刊问题

大家好，最近在高通RF技术期刊上看到一个问题，不太理解，烦请各位大神点拨一二。
具体为：某项目在CPU与transceiver之间的四条TX IQ线上都并了四条150pF电容到地，导致LTE relative power control fail（20M带宽），
且测量LTE某band发现频谱发射模板（spectrum emission mask）在20M带宽时，中间的载波发射频率离中心频点越远衰减越多，
使频谱形成一个中间高两边低的三角形，NC掉这四颗电容就好了，相关细节在图片中有显示。高通的解释为150pF电容有低通效
应，所以会导致这些问题。
现在就不太理解这句话，
首先，为什么150pF电容会是低通，常规理解电容对RF信号一般都是带通，我查了一下村田150pF电容的
频率响应，也是一个谐振点在800M左右的一个带通效果；
其次，为什么有低通效应之后，在发射频谱上会呈现一个如此两端衰减形状的图形。

图1

图2

150pF都算是大电容了?

电容大不大是相对于输入输出阻抗而言的，另外对于最高10M频率来说，150pF也不是一个可以忽略的值