高手给解释下 wcdma的 inner loop power 是怎么回事啊

check 滤波电容

非常感谢楼上的兄弟 但是我忘了提我这个是MTK平台的额。

1 这个问题(inner loop power)比较讨厌,需要配合高通关于平台NV文档,以及推荐的切换点调试.
2 调试地方: 调试匹配(功率在整个带宽上比较平滑),调整校准序列(优化补偿点和切换点,调整NV(相关NV比较多))

自己顶一下 期待高手给解答一下

criterion 解释很给力。学习了！

criterion 解释得相当到位啊。

在WCDMA的通讯协议中，功率管理是一个非常重要的环节，
这主要是因为WCDMA系统是属于功率限制的(power limited)系统
由图可看出，UE1离基地台较近，而UE2离基地台较远，
而根据



若未做功率控制，即UE1与UE2的发射功率都一样，
则由于UE2的Air Loss较大，因此基地台收到的功率，会比UE1小




严重一点，有可能盖掉UE2的讯号，
但若有功率控制，则任何位置的手机，所发射的讯号，
在抵达基地台时，具有相同的功率位准，这样就可以克服近远效应



因此上述可知，过大的功率会干扰其他用户，使其它用户的SNR降低，
而过低的发射功率，则是容易被其他用户干扰，导致自身的SNR降低，而根据Shannon theorem


若改善各个用户的SNR，则可提升整个系统通道容量，因此需要功率控制

而功率控制又可以分为Open Loop Power Control及Close Loop Power Control，
Open Loop的机制，主要目的为提供一个粗估的初始功率设定，
作为手机或基地台在一个链接的初始阶段的发射功率，
避免手机在第一次发射讯号至基地台时，其发射功率过大或过小，
因此先粗估Air Loss，从而计算出所需的发射功率，此即为Open Loop Power Control
而Close Loop Power Control ，
是由Inner Loop Power Control及Outer Loop Power Control所组成，

而因为手机在发射端，
会做Open Loop Power Control ，与Inner Loop Power Control的测试，
故各简称OLPC与ILPC


下图是ILPC的机制图，基地台会有一个事先预定的SIR(Signal Interference Ratio)，
当基地台侦测到手机的发射功率太强，即SIR过大，
则会发出TPC(Transmission Power Command)，通知手机降低功率，
避免盖掉别人讯号。反之，若SIR过小，则会通知手机提升功率，
避免被别人盖掉讯号。因此ILPC的目的，便是希望手机发射讯号的SIR，
能跟基地台事先预定的SIR一致


至于Outer Loop Power Control ，
则是更进一步去细调ILPC，意即动态调整基地台事先预定的SIR，
使其能与手机发射讯号的SIR一致，如下图


也因为需要功率控制的缘故，所以WCDMA在发射端，
需要有足够的动态范围，以Class 3而言，至少需74 dB(-50 dBm ~ 24 dBm)

因此 以手机而言
ILPC，则是较为精确的功率控制测试，
每667微秒就会调整一次功率，若手机发射端调整功率的速度赶不上，
且精确度不够时，则ILPC便可能会Fail
Step E与Step F，因为要求的动态范围最大，
至少74 dB，且要求的精确度最高，因此最常Fail



而ILPC之所以Fail，主因是PA，因为667微秒就会调整一次功率，
若PA切换Power Mode时的速度赶不上，ILPC便会Fail，若是高通平台
此时可透过调校NV Items来改善
另外，虽然ILPC只测常温与Mid Channel，但PA的温度跟频率响应，也会有所影响，
因WCDMA的线性PA量测一段时间后，
即便在常温，也会因耗电流较高而温度升高，此时若未做温度补偿，则可能会导致ILPC劣化

若在校正过程中，其PA的最大饱和功率较不平坦，
会使得Mid Channel的ILPC劣化，有可能需要重新调校PA的Load-pull，使其较为收敛

量测仪器方面，不同仪器会有不同的ILPC量测值，
一般而言，Agilent 8960的精确度较高，量出来的值较不易Fail，
而CMU 200的精确度较低，因此量出来的值较容易Fail

其它详细原理 可参照


在此就不赘述

高手给解释下 wcdma的 inner loop power 是怎么回事啊

高手给解释下 wcdma的 inner loop power 是怎么回事啊

高手给解释下 wcdma的 inner loop power 是怎么回事啊

高手给解释下 wcdma的 inner loop power 是怎么回事啊

高手给解释下 wcdma的 inner loop power 是怎么回事啊

高手给解释下 wcdma的 inner loop power 是怎么回事啊

高手给解释下 wcdma的 inner loop power 是怎么回事啊

高手给解释下 wcdma的 inner loop power 是怎么回事啊

高手给解释下 wcdma的 inner loop power 是怎么回事啊

高手给解释下 wcdma的 inner loop power 是怎么回事啊

内环主要是考量基站指导手机进行功率变换时，手机是否能够进行快速准确的功率变化，E，F两个是主要问题，主要是1dB下和1dB上的考量。门限一般是+-0.6dB。
问题主要出在PA的切换点时，PA进行功率等级的切换，造成功率控制的不够平滑，所以会有凸包或凹包。
调试方式主要是1、调整某个功率等级的温度补偿，2、调整PA的功率切换点，3、调整手机的频率补偿。
在6285上很明显，几乎每个项目都要调试，不过到了WTR1605上，问题小了很多，高通也做了不少努力。

学习了，都是大神啊@

强人呀。

高手讲解 不解释

criterion大神 请教个ILPC的问题：
MTK平台校准文件 INI里有参数：VGA DAC,PA low mode=161,296
查找MTK平台校准资料描述如下：PA低增益模式下的TPC校准参数，第一个表示PA _GAIN 第二个表示PDET _GAIN
小弟发现的现象是：
用VGA DAC,PA low mode=161,296的INI文件，直接导入到手机FLASH里 测试ILPC OK
只更改VGA DAC,PA low mode=161,296为VGA DAC,PA low mode=161,304，将修改后的INI文件再导入到手机FLASH
测试ILPC FAIL 且fail的点固定（步进值不是临界FAIL）
小弟想请教的是这个PDET_GAIN的值如何影响到ILPC的?（请见谅目前不会上传图片）

ILPc一般调试内环增益补偿点就可以了啊。

学习了！

学习了！

内环主要是考量基站指导手机进行功率变换时，手机是否能够进行快速准确的功率变化，E，F两个是主要问题，主要是1dB下和1dB上的考量。门限一般是+-0.6dB。
问题主要出在PA的切换点时，PA进行功率等级的切换，造成功率控制的不够平滑，所以会有凸包或凹包。
调试方式主要是1、调整某个功率等级的温度补偿，2、调整PA的功率切换点，3、调整手机的频率补偿。
在6285上很明显，几乎每个项目都要调试，不过到了WTR1605上，问题小了很多，高通也做了不少努力。