PA输出端并电感的作用

20nH有点小，我们现在都使用68nH，对射频的匹配影响很小，而ESD信号近似算是直流，电感对直流短路，所以可以起到一定的ESD疏导作用。

我想问一下并的这个电感的值一般选取多少nH的最合适呢?恰巧有个项目有这个问题，是在天线匹配那里并了10nH的电感。

言之有理，学习了，顶一个

就是防静电的

静电的主要能量在4MHz以下，在PA的输出端口并联<1500nH的电感可以有效的防止PA输出口的静电干扰。

7楼好像全说错了。

主要是想知道是什么原理?
原理就是电感通直流，相当于将静电短路到地了的原理?
更大或更小的值会使阻抗变化很大 ?

这个是ESD方面的，
就是从天线端要是有静电流入的时候，
可以直接通过这个电感分掉，从而不会流入信号通路而去损坏其它的功能器件

如果不考虑射频，ESD是直流电，电感直流短路，电容直流开路，这就是ESD防护原理

学习中...

3楼加6楼等于答案

并在RF trace通路上会改变阻抗这个我知道，只是不太理解并个电感怎么增加了ESD性能，原理是什么?

搂主 我很欣赏你的钻研精神
另外我有个疑惑 不管是电容还是电感，在高频都是复合模型，从匹配的角度来说，加一个器件上去匹配肯定是变化的，如果是这样，我加不加这个ESD保护器件对射频通路来说，阻抗特性是有差异的，还怎么控制匹配呢?

RFMD解释说是增加ESD性能，如上面的我截图。

7楼说的对,应该是起阻抗匹配作用的！

比如以前sky77518的PA在输出端串个电容，并个电感，说是主了增加esd性能。

PA输出端并电感的作用

PA输出端并电感的作用

大电感（相对于900M甚至850M或是更低的应用频率），比方说27nH电感在900M阻抗可表示：Z=j2*3.14*900*10(6)*27*10(-9)=j6.28*27*0.9=156.2欧姆，严格的说，这个阻抗对900M还不能形成等效开率。

通常的esd防护都会用varaistor或tvs，用电感的非常少见。
我也觉得并电感是为了更好的对pa进行匹配。
你的电感是加在rf switch后面还是前面?

做匹配肯定是要的，一般都会预留PI形或两个L开的匹配。
但是有的PA除了匹配外还要并个二十几NH的电感，说是增强静电能力。只是想了解下什么原理，为什么并个电感可以增加抗静电能力?

1.并电感主要让PA 工作在最佳状态。（换句话说就是匹配），
2.为什么不用电容呢?因为电容对高频是短路的，所以不并电容。
3.主要根据PA loadpull图决定的，应为pA不仅看Gian 还要看效率 和ACPR等
4.根据PA 提供的Loadpull 图 。一般最佳负载点在smith 圆 左下方（33ohm 25NH 附件）
5.PA 负载一般在50ohm 左右，所以做匹配（只有并联电感才能达到最佳点）

电感太小，会影响PA的输出阻抗

原理是 电感通直流阻交流原理 ?电感把低频的静电导入地，而阻止高频的信号对地损耗。
那不是电感值越小越好吗 ?搞成最小的可以不，比如1NH，一般都选为二十几NH是什么原因啊。

想知道的是什么原理?

呵呵
我觉得即使有匹配，并单个器件如果其对信号频率的阻抗很小的话，也是会有很大损耗的。
完全匹配的话相当于是通路端是对信号无阻拦，阻抗无限小，而并电感这端相对来说阻抗很大，信号几产无损的走向了通路。
但实际中的是一个频段，除了一个频点外其它都是不完全匹配的，特别是两端的频点，那么相当于有比较大的阻抗，这个阻抗相对于并电感这路的阻抗并不是无限小，从能量分配的角度来看，那么并电感这路就会有比较大的损耗了。

其实还能起到保护PA的作用，防止天线把PA load的VSWR拉的过大把PA烧掉。
这是一种比较经济的做法。

你无视我的回答吗?怎么又绕回去考虑射频了?单并电感当然会损失能量，但后面还有个电容和电感一起作为匹配
电感在这里防ESD的原理就是当直流导线把静电导到地上阿

呵呵，这个本来想说的是越大越好，不知后来怎么写成了越小。
27NH对于900MHz的阻抗是
R=JwL=J*2*3.14*900*10（6）*27*10（-9）=J152.6
天线端负载阻抗都50欧左右，对900M来说并27NH是不是会有一部分能量到地了呢，也就是说有比较大一部分能量损耗了呢

电感值越小越好吗? 其实你查规格书，电感有一项参数Max. of DC resistance ,从1nH到270nH，直流电阻为0.07ohm到5ohm左右的范围，说明不管是大电感还是小电感，对静电的导通效果都是一样的，没太大差异。 并27nH更多是考虑阻抗变化对PA的影响。并的电感越小，对PA输出阻抗影响越大。

22楼的只是为了做天线匹配，不过貌似并10nH的有点太大了。

结合LOAD PULL来看

上海招PA，射频设计
wlq@haoxinic.com

我是做天线的，可以肯定的说这里的27nh电感不是用来调整阻抗的。
并电感一般用来调整低频阻抗(如果比较小的话0.5~5.6nh，高频也会有变化，但低频同时会变化的更加剧烈，一般不会太小)，15nh以上低频阻抗变化非常微小了，对高频基本没有影响。
作为ESD电路，个人觉得前面可能要加一个隔直电容，此电感值不应太小，一般应在15nh以上。

这个应该是ESD的作用大一些，添加这颗料之后要对前面的匹配进行调节，有的时候下地一颗电感会影响到整个PA的输出。

ESD信号是有频谱，能量集中在低频为主
一般15nH以上的电感并联到地对阻抗的影响比较小
在静电可以的情况下做匹配
一般使用串电感并电容，这样对谐波有抑制作用
但是现在都是TX module
所以如果为了平衡不同频段并联电感也经常看到
因为
低频对并联电感和串联电容的阻抗变化更大
高频对串联电感和并联电容的阻抗变化更大
如果刚开始高频的性能就比较好时
可以选用并电感串电容的方式在尽量不影响高频的情况下将低频阻抗调到需要的位置

首先这个电感肯定不能直接并在PA输出端，必须先经过一个隔直的电容。
然后由于传输的是射频信号，所以必须结合S图来理解，串的电容及并的电感无疑是匹配的一部分。
最后单独考虑低频到直流的情况，电感并到地相当于对地短，电流直接从电感到主地去了，所以能保护PA。
以上是个人理解。

能不能把你的那个资料共享一下，相互学习
发到我QQ邮箱：807437278@qq.com
感谢

大电感通直流 小电感影响匹配
跟lp没一毛钱关系

35楼理解ok

34楼理解ok

32楼解释的不错的，并20几nh以上的电感对阻抗匹配影响很小，导低频静电到地保护电路，说白就是电感阻高频通低频，900M来说对20几nh相当于断路，所以并联到地不会泄漏多少高频能量

20nH有点小，我们现在都使用68nH，对射频的匹配影响很小，而ESD信号近似算是直流，电感对直流短路，所以可以起到一定的ESD疏导作用。

学习了.....

是防静电

正解！ 并20几nh以上的电感对阻抗匹配影响很小，导低频静电到地保护电路，说白就是电感阻高频通低频，900M来说对20几nh相当于断路，所以并联到地不会泄漏多少高频能量

并20几nh以上的电感对阻抗匹配影响很小，导低频静电到地保护电路，说白就是电感阻高频通低频，900M来说对20几nh相当于断路，所以并联到地不会泄漏多少高频能量.

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学习学习

ESD不是高峰脉冲吗?为什么说是直流呢?请解释?谢谢！

学习学习

学习学习

这个有点搞笑吧，首先PA输出端在PCB上，什么样的ESD能直接打到那里呢?即使从天线端过来的，那ASM不是首先要遭殃的?还有双工！另外，从电感的特性上说：电感具有防止电流突变的功能，ESD属于脉冲电流，IC引脚上并个电感，电感不给你把ESD憋回去才怪！

静电的能量主要集中在在300MHz左右

学习了，顶一个

静电频谱有个论文可以参考一下，http://www.docin.com/p-1074056526.html。小编可以拿ads仿真电感看一下s参数就知道对什么频段有影响了，在天线接口处并大电感是为了esd，但是pa后就不好说了。

特意翻了最近项目的SCH，发现现在PA输出很多都是串电感并电容的Pi型网络，用作匹配

学习了

谢谢分享

学习了