2G PA与 3G/4G PA的区别
2.看了一些3G/4G的PA，大多是内部集成多级PA，固定供电电压，通过内部逻辑电路调制偏置电流。这类PA又是哪一类的PA呢（看书上说线性PA一般都是A类，有这样的说话吗?），这个偏置电流又是什么电流呢，是怎样来控制PA增益或者输出功率的呢?
3.用META调试WCDMA时，其中有DC2DC，这又是什么电压?不是说改变偏置电流麽，怎么改变电压了。而且像SKY77643这个PA，是MIPI控制，有专有的寄存器控制偏置电流，与电压有何关系?
（1）这个说的是功率控制。对于功放来说我们需要进行控制，比如温度补偿控制，比如驻波监测控制，举一个简单的例子，功放散热比较大，温度升高会带来pa静态工作点的变化，这个是我们不希望看到的，那么怎么办呢，我们希望能对pa进行控制，此控制可以用来抵消温度变化带来的影响，pa控制我们可以选择控制栅极或者漏极电压，当然大部分选择栅极电压，dac输出的电压就是用来控制栅极电压的。
（2）在第一点已经解释清楚了，所有关于栅极的电压控制都是来控制功放的，比如驻波保护，温度补偿，功率监测等等，4g的功放与2g的有什么不同?这个主要是跟调制有关系的，2g的调制方式是恒包罗调制，4g是非恒包罗调制，恒包罗对于功放的线性是没有要求的或者说要求不严格，非恒包罗对于功放的线性要求很高，因为功放的非线性会引起非恒包罗调制信号失真，误码率增加。4g的功放一般工作在AB类，一般会采取很多提高线性的措施，比如Doherty，包罗跟踪，dpd技术等等，一切都是为了在保持功放效率的前提下提高线性，减少功放对调制信号的影响。
（3）功放一般情况下都是mos管（LDMOS)，其是电压控制性管子，需要通过改变栅极或者漏极电压来控制其沟道，进而改变静态工作点流，即功放工作状态。
功放分为开环和闭环两种，开环就是不加控制，其栅极和漏极的电压就是恒定的；闭环功放则是一个闭环回路，有功率采集这一部分，采集到的功率经过检波送回基带adc进行相应处理，得到的结果通过dac转换为模拟电压来控制功放的栅极或者漏极电压。
坐等大神解答，学习学习~
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坐等大神回答
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大神飘过不解答，都散了吧
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大神都忙着工作去了吧
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看看 学习学习
（1）这个说的是功率控制。对于功放来说我们需要进行控制，比如温度补偿控制，比如驻波监测控制，举一个简单的例子，功放散热比较大，温度升高会带来pa静态工作点的变化，这个是我们不希望看到的，那么怎么办呢，我们希望能对pa进行控制，此控制可以用来抵消温度变化带来的影响，pa控制我们可以选择控制栅极或者漏极电压，当然大部分选择栅极电压，dac输出的电压就是用来控制栅极电压的。
（2）在第一点已经解释清楚了，所有关于栅极的电压控制都是来控制功放的，比如驻波保护，温度补偿，功率监测等等，4g的功放与2g的有什么不同?这个主要是跟调制有关系的，2g的调制方式是恒包罗调制，4g是非恒包罗调制，恒包罗对于功放的线性是没有要求的或者说要求不严格，非恒包罗对于功放的线性要求很高，因为功放的非线性会引起非恒包罗调制信号失真，误码率增加。4g的功放一般工作在AB类，一般会采取很多提高线性的措施，比如Doherty，包罗跟踪，dpd技术等等，一切都是为了在保持功放效率的前提下提高线性，减少功放对调制信号的影响。
（3）功放一般情况下都是mos管（LDMOS)，其是电压控制性管子，需要通过改变栅极或者漏极电压来控制其沟道，进而改变静态工作点流，即功放工作状态。
功放分为开环和闭环两种，开环就是不加控制，其栅极和漏极的电压就是恒定的；闭环功放则是一个闭环回路，有功率采集这一部分，采集到的功率经过检波送回基带adc进行相应处理，得到的结果通过dac转换为模拟电压来控制功放的栅极或者漏极电压。
学习啦，哈哈
谢谢你的回答。
(1).首先，你说的温度补偿，包括其他的如sub-band补偿，都是为了让整个频带的信道在不同的条件下具有相同的功率调节方式吧?其实我主要是想知道PA 内部的工作方式（暂且说2G的吧）。你说的控制控制PA内部栅极和漏极电压，这个我赞同，因为放大器基本就这些电压控制方法，那么这些控制电压对应手机中的配置项呢（如PCL DAC和Vramp，都可以看成是功率控制电压，但一般PA没有PCL DAC接口，这个PCL控制难道像WCDMA那样是在收发器控制的吗?）
看了一些PA datasheet，老的新的都有，一些专门的GSM PA（AWT6166，PBM6293），由于只放到GMSK信号，所以效率有50%左右，而如果像一些集成GSM/EDGE的PA（还集成了开关 PA6690，SKY77590），GMSK只有将就40%效率，而EPSK只有将近20%（这么低么。）。是因为前者一般都是饱和功放，后者采用极性功放的原因么?为什么这么低的效率还要用。（不觉得太浪费了么）。
(2).目前像2/3/4G集成的PA（比如 SKY77648），其内部PA 是2G与3/4G 分开的的，还是都公用?从datasheet上看，好像都用的线性PA了，而且其效率都超过50%，这是怎么做到的?
还有，我没有找到回复上传图片的地方。
Mark 学习了。
MIPI pa是通过偏置电流调节电压来达到DC-DC的效果。
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学习啦，哈哈
http://bbs.52rd.com/forum.php?mo ... id%3D5%26typeid%3D5
这里讲有一点关于PA的内容。可以看一下。
http://bbs.52rd.com/forum.php?mo ... id%3D5%26typeid%3D5
这里讲有一点关于PA的内容。可以看一下。
PA有两种，饱和（POLAR）PA和线性PA，
现在高通都用线性PA，饱和PA在老平台上会用到，现在MTK有些平台依然在用饱和PA。
饱和PA效率高，但在高功率时会失真。
线性PA效率会低一些。
两种PA对GSM EDGE高功率时的失真会有不同的方法。可以查一下其他资料。
解释得不错
好久没看了，现在理解稍微懂一点了，谢谢
请教下
1. 2G PA的VRAMP与各PCL下的输出功率有关是吗?
校准INI文件里的 TX power level=83,91,101,113,128,146,168,195,228,270,320,384,464,539,665,665
与进入META后 PCL DAC值对应?
2.2G PA的VRAMP的RC网络对GMSK的调制谱和开关谱有一定的影响，能否大致讲解下?
目前仅知道RC网络有滤波和分压作用
3.2G PA的VRAMP与PVT有无关系?
profile 0 ramp up=0,0,0,0,0,0,0,0,0,49,102,171,255,255,255,255
profile 0 ramp down=255,255,255,255,255,197,138,78,32,10,0,0,0,0,0,0
校准INI文件里的ramp值与VRAMP有一定的对应关系吗?
谢谢！
1.所有的PA都是可以工作在线性区域和饱和区域，PA中线性相关的指标是AM-AM失真，AM-PM失真。为什么叫2G PA为饱和PA，是因为2G的调制方式决定的，像GSMK调制方式对于AM-AM、AM-PM失真不敏感，在这种情况下PA可以工作在饱和区域，对于射频指标影响不大，工作在饱和区域PA的效率会高些。像手机里面GSM和EDGE都是采用同一个PA，EDGE的调制方式为8PSK，8PSK的调制方式对线性要求会高些，所以在EDGE时，做了功率回退，输出功率会减少。关于2G PA采用Vramp来控制，其实Vramp控制芯片里面的bais和VCC供电电压，让bais和VCC随着Vramp的值在变化，bais和VCC会决定PA输出功率，越大功率越大，越小功率越小。
2.关于WCDMA、LTE的调制方式为QPSK、16QAM等，这些调制方式对PA的线性要求更高，存在峰均比的概念，比如说AM-AM、AM-PM的失真不能太大，EVM失真不能太大，不能工作在饱和区域，只能工作在线性放大区域。控制方式有APT与ET方式，APT名为平均功率跟踪，ET为包络跟踪。其实和Vramp控制原理是一致的，但有区别，APT和ET是采用外部的buck降压电路，Vramp采用的是普通LDO的方式，猜测WCDMA和LTE的调制方式包络变化大，采用buck开关电源方式可在高速变化的情况下提高电源效率。而2G的调制信号包络变化慢用普通LDO的方式即可。
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