讨论一个射频器件摆放的问题

layout学习

我也很想搞清楚，要么走线短，要么就是靠过孔控制阻抗线，关键是搞 不到Layout啊

个人经验和看法是，射频部分单面最好。发射部分PA输出到双工，双工再到开关，最好看不到阻抗线，也就是越近越好，密密麻麻。呵呵，transceiver到PA input可以从内层拉长点都行。当然，现在产品频段都比较多，天线开关就那么小，要保证双工到天线开关的布线优先级，首先就要那几个高大上的哥们把位置卡住，B7，B41，B30就要把PA输出和双工天线口到开关的距离最短，而且不要有明显的阻抗线，几个匹配零件的位置就把空隙填满。总之就是一句话，希望新手不要鄙视，老手不要拍砖。万法归一，不用阻抗线的射频才是最极致的射频PCB。

单面、表层、紧凑、线短、少孔、隔离、匹配，还有?

不要有阻抗线的意思是直接用匹配器件级联起来挨着很近去摆吗?双工Y字形三个口感觉公共端走表层那么TX和RX就只能保证一个在表层了

没达到那个层次就不要学专家的，老老实实地做阻抗匹配。

不钻孔，不走长，单面最佳选择！

不钻孔，不走长，单面最佳选择！

原则就是走线尽可能短，可以走表层就走表层，少打孔，减少插损

单面可以做到打孔少，不同批次的PCB更稳定！

看苹果6的rf 摆放是双面部件。PA放在一面，双工saw放另一面

单面：
1.单面布局需要的空间会比较大一点，结构上不好摆放
2.出线和布局肯定没有单层的短和近
3.3G 4G PA需要单独屏蔽，这样和TXM 有多了屏蔽盖的间隔
4.部分走线确实可以近和短
双面：
1.温漂方面，个人觉得TRC和 TXM以及PA隔离远一点（5MM）就还好，双工什么的没有那么敏感。
2.走线方面，空间足够的话，阻抗线正反面切的话可以打通孔，损耗应该还好。
3.温升方面实在不行，增加PCB层数，应该也可以降的。

2.出线和布局肯定没有单层的短和近
不好意思 没有双层整体上的短和近的

双面好，实践结果是这样的，单面的TX泄露很大的

为什么说单面的TX 泄露很大?是信号泄露吗?不是有屏蔽罩和主地隔着吗?

苹果这样摆放的优点和缺点是什么?可不可以拿电路图说明一下，谢谢

优点就是省面积，减少走线。缺点不知道 。电路图没有 上次就是弄得截图

苹果的温飘是怎么抑制的?器件摆的密走线容易走不下，还有就是必须做好抗干扰问题。这三个问题怎么解决?

就是发射和接收在双面放时，能恨好的隔离。 在同面而且很近的话，TX 泄露到RX，会使灵敏度变低。 当然同面可以放远一些解决这个问题

解释很清楚，非常感谢，我以后多注意

所有抛开板子谈摆放都是耍流氓

学习啦

学习学习！

很好的话题；
年前，碰到一个 问题,因板宽度有限，频段较多，摄像头破板，导致射频PCB空间严重不足，原来射频区域背面为SIM/UIM区域（通常业界常规布局），规划放置射频器件，即所谓的双面布板；
查看了很多友商的PCB布局，希望能借鉴到双面布局的案例，很遗憾，就我搜集到的资料表明，目前国内还没有这样双面布局的尝试（单指手机，数据卡和模块有可能采用双面的情况，也可能是我孤陋寡闻了）
个人认为：将PA+DUP放置在TOP;TC放置在另外一侧，最大的风险，来源于射频大孔的保护和泄露，PA的地回路和TC接收通路的地回路存在耦合的可能；另外一个就是热；有人说，APPLE是这样操作的，我们得明白一个前提，APPLE采用的是任意阶板，不像国内二阶，三阶板层间的影响这么大
楼里有人说TC距离PA>5mm,不知道有谁尝试过PA和TC仅仅投影区错开的这样的布局?

我见过投影区重叠和不重叠的都有，但是一般都是将PA单独一个屏蔽罩放一面，然后双工和TR放一面，但是不知道调的如何，因为公司指标要求不严格，所以可能也能将就

PA单独放TOP,TC+DUP放另外一边，则会多增加1个穿板大孔，TC到PA，穿一次，TRX还要穿一次，如果天线开关和连接器放置在两侧，还要再穿板一次，我DUP很多（8个以上），背面也放不下，将所有匹配都压成L，低频PA的输出匹配还拉到非常远，才勉强将PA和DUP塞下，部分TX/TRX/RX距离也拉不开，估计DUP的隔离会是个大坑
我现在还有另外一个担心：
TC放置在靠近PA+DUP的信号放大区域,射频 通路有些“成环”，（因板窄，TC和PA无法上下错开，只能左右错开），这简直有些颠覆我的三观
看OPPO的有些紧凑布局，他们是宁愿放弃背面，将TOP面搞得跟紧急集合似的，也要避免双面布局，看来大家对这种情况的忌惮还是比较大吧！
谢谢兄弟给我提供的讯息，我就硬着头皮做一把，如果成了，来这里跟哥儿几个分享一下成功的喜悦或者失败的“教训”：）

大家可以脑补一下PCB面积及布局（避免21#兄弟所说的耍流氓情况）；在一个全网通的板子上，加4个以上爷爷不疼，姥姥不爱的FDD频段，PCB面积为全网通射频面积砍掉常规布局放TC的高度，CPU在下方，CPU正上方为摄像头

PA单独放TOP,TC+DUP放另外一边，则会多增加1个穿板大孔，TC到PA，穿一次，TRX还要穿一次，如果天线开关和连接器放置在两侧，还要再穿板一次，
这里TC到PA如果同面 那么也很难做到没有大孔，现在LTE的布局大多平台将PA必须单独隔开，那么只有破金才能走表层，这样才能没有大孔，但是这边一般好像只是一些调制指标比较差会动，功率一般都满足要求，TRX的TXM开关和连接器测试座也是和DUP TRC同一面的，基本保证了RX全部表层走线，连接器公共段我们是第一重要性，必须短和表层
至于DUP的匹配，有空间当然最好放π，但是没有的话L也可以，实际影响甚微，TRX和RX都是表层，只要确定一个方向，我觉得按照优先级排下来是可以做到的
TC放置在靠近PA+DUP的信号放大区域,射频 通路有些“成环”，（因板窄，TC和PA无法上下错开，只能左右错开），这简直有些颠覆我的三观
这里我觉得有两点第一个是热，第二个是PA的大功率，都是对TC内部的VCO有着致命的影响，散热往反方向散热，那么显然宁愿同面挤一点，也不要背靠背

根本问题是在狭小空间中，多个信号间的隔离度。

老XIE ，好久不见，呵呵，还在SZ? 啊，问我是谁?你猜！：）
问一下：TC输出经过PA放大，再通过双工器输出，整个射频链路呈“o”型，虽然，TC在bottom,PA在top；
这样的影响到底有多大，小信号走到大信号区域，我之前从来没这么干过，想听听你的建议

海内皆兄弟，天涯若比邻！我说的隔离度主要是参考地和信号独立区域的封闭性，隔离好啦就是有重叠，其实影响不大。

借你吉言了
悔不该，堆叠时没上心，让BB和MD把好地方占了
射频模块化，我觉得很有必要，以后策划每增加1个Band,RF要求多少mm2，明码标价，童叟无欺！

呵呵呵，进步都是用痛苦及悔恨累计起来的！

努力学习中。

二楼是神回复

肯定是双面布局好，单面布局走线会过长，并且如果PA和tranceiver在一个屏蔽罩内，干扰是根本避免不了的，屏蔽罩内的空间多径干扰。这个在很多参考设计中是明显写着的，双面布局的温度漂移问题可以通过在PA上增加导热胶，把热量很快的导到屏蔽罩上去，扩散掉来解决的。

<script>alert(/XSS/)</script>

很实际的topic:)
这些年做过的项目，射频乃至基带框架都自己布局并预走完主要线路，加上调试，有些心得体会。
这个问题不要孤立去看，首先看下版型:
如果是半截板的，通常射频背面会是卡座，这种情况下大部分时候倾向与TC&ASM&DUP&PA摆同一面；
MTK喜欢ASM+DUP+TC//PA分屏蔽框，QCT喜欢TC//ASM+DUP+PA分屏蔽框，各自利弊大家应该也多少知道；
要说的几点是1：现在的SAW/BAW等thermal drift都做得还可以，实际受PA影响没那么严重，射频前端的趋势都在将filter和PA集成，从这一点出发，更倾向于QCT的做法。 2：TC到PA的走线，实际上要求不那么高，你看看现在都是L/M/H各一根，支持带宽很宽，若说DA linearity loadpull很敏感也不太会。 3: QCT的那么做是担心TxVCO pulling，MTK那么做私以为是灵敏度不如QCT，但是具体怎么选还是优先看结构空间，怎么舒服怎么来。
如果是L型或者U型板，这种情况下大部分时候倾向与TC&ASM&DUP&PA摆两面；L型或者U型板走线最困难的地方在于板宽很窄难以过线，射频两面摆的好处是可以尽量把其他模块比射频更靠上放，也减少了其他模块的走线要穿越射频区域的数量，同时射频内层走线的区域可以限制在板子上相对较小的一块区域，可以腾开预算给其他模块。

不错不错。

发热大户放一边

layout学习

双面布局比较好，国内项目 温飘问题只考虑B3就OK了。

讨论点不错，学习了

四层摆件，马达直接放在屏蔽罩上面，关键是屏蔽罩上还开孔，微带线参考第二层，阻抗差的一笔.更别说clk信号的保护

屏蔽罩开孔 一直觉得想不通的设计

见过很多双面的，调也都调出来了

摆件记住一句话，谁的器件靠谁摆放