官方淘宝店 易迪拓培训 旧站入口
首页 > 手机设计 > 手机射频工程师交流 > 为什么天线工程师喜欢把s11叫做插入损耗呢?(标题有误,应为s12)

为什么天线工程师喜欢把s11叫做插入损耗呢?(标题有误,应为s12)

05-08
天线工程师一般在网分上调s11,那为啥他们喜欢称s11为插入损耗呢?
我记得IL不是=-10lg(1-T^2)吗?
而s11实际上在网分不是T吗?
我说的有问题不?

s11是return loss
s21才是insertion loss

S12或S21才是插入损耗

s11是回损,S21才是插损。

插损称作s12是不是需要负载匹配的限定条件呢?
还是插损直接就是s12?

s11 return loss...

不妨放到有源系统去看,S21表征增益,而S12表征的是隔离度。对于无源线性系统S21就是插入损耗了,当然这时两者是一样的,因为此系统互易。

恩,受教楼上。
那在有源里面,s11是不是还是回波损耗呢?

不会吧,都高工了这个还没搞清楚的说

hehe,是最近关注天线的东西被他们搞晕了。基础不扎实啊。
我发现调天线一般只关注S11的形状啊,他们在网分上一般就看s11去调节天线,而对s21关注不多,这个和我们的关注点不是很一致。
做RF还是需要多学啊,上次仿真他们的天线就是因为自己把s1p文件的地给忽略了导致和他们的结果不一致,后来关注下问了天线的兄弟,才知道他们一般是把天线的一端接地,一端接网分去调s11,这样就明白了。
btw
问下有天线模型给s3p文件的吗?一般s3p文件都是在pa和trc直接的匹配电路才用吧?

关注驻波比会多一些,也就是关注S11会多

一般先是RL或VSWR,复杂一点的要看下smithchart
RL、VSWR都可看成是S11的一种图示形式,S11,一端口的反射系数,而S21是一端口到二端口的传输系数,反映增益

其实在很多时候把S11叫插损是因为测射频线的线损而引起的

比如一根射频线,一端悬空,测试了S11后除2就把这个当成线损,
而事实上的插损应该还包括介电损耗,一般较小就忽略了
其实可以做个实验,就是分两种情况:第一种情况是用两端口,测射频线的S21
第二种情况是单端口测S11,其中射频线的另一端悬空
大家会发现S21基本等于S11/2
因为第二种情况简单,久而久之,大家都把S11与插损联系起来了
欢迎大家拍砖啊,自己理解的。

我汗,是不是搞RF的
虽然俺也是半路出家,虽然俺基础也不扎实,但。俺至少还知道,天线是测不了S21的……能测岂不成joke了。

S11是反射损耗,反应端口的匹配特性!

SOGA

哈哈。

现在想了下,天线之所以没有要求双端口的指标(s21,s12)是因为另外1端直接对空气377ohm已经明确,无需调整,所以只要看入口的反射调好就行。
其实一直不明白为啥无源天线只是满足s11等的情况下,却能保证在某方向上有正的增益,这之间是否有些联系?

恩,看得出来

再问下,天线的在效率能表征s21吗在有源时候?

天线的S21可以理解为测试天线效率

一般的天线由于是单端口的器件,所以只需看S11(即是反射特性的表征)就可以了,但是如果是GSM和CDMA的同时调试,这时就需要看S12了,也即是看二者之间的隔离度。

还请各位继续讨论。

222222222222

业务不熟,害死人啊!

我公司设计生产内置FM天线,多款现有尺寸,也适合定制。我司调试免费,也可以协助客户对电路功放部分进行环境处理。欢迎有需求的朋友们联系洽谈
联系人:轩美霞
M:15889463992
QQ:1505680136
MSN:meixiaxuan@hotmail.com

学习了

天线和天线间的隔离度 也是S21

请问为什么是插损是S11/2最近也遇到这样的问题,还请赐教,谢谢!

天线只有一个输入口!假定输入的功率为1,如果天线的输入阻抗与源匹配,那么根据公式S11=0,一般换算为dB为负无穷,vswr=1,当然这是理想情况,调天线看无源其实是调天线输入阻抗,但是天线还有辐射阻抗!这就是衡量天线能否把得到的功率有效的辐射出去的指标!
回到上面,天线是有带宽的,输入阻抗不可能与源一样,假定反射回来的为0.5,那么s11=-3dB,所以一般说损失3dB就是功率损失一半,这种情况下传过去的也是0.5,,如果把天线往空间辐射看作一个虚有的端口,这样可以认为S21=-3dB
对于一个2端口元件,假设1端口进去功率为a1,反射功率为b1,2端口进去功率为a2(从1端口的方向上看,这个其实是反射方向,与a1相反),反射的功率为b2(与a1同方向),那么s11=b1/a1(a2=0) s21=b2/a1(a2=0)
注意a2=0的条件是2端口匹配,所以测试多端口天线的s11需要在2端口上接50ohm负载,例如四馈点圆极化天线
个人理解,不当请指正

如上,天线只有一个端口,所以S11=反射除以入射即b1/a1,a1,b1是在散射矩阵中定义,对入射反射波进行归一化所得,为的是分析多端口时入射反射更加清晰,功率关系也更直白,如:通过i端口功率可表示为:Pi=ai模值平方-bi模值平方总体在除以2,即入射电压模方-反射电压模方。所以散射矩阵包括所有矩阵均是为处理多端口(方程)而生,处理起来方便。
但对于天线而言,如小编所说,在无单位情况下,S11=gama(反射系数),但多数情况下,将其转化为dB形式,即S11=10Lg(gama模值平方),如gama=0.5,S11=-3dB,效率上来讲,假设天线是理想导体,本身无损耗,则天线效率eff=75%,而不是大多数认为的50%,因为gama是从电压幅值上定义,而eff=Pr/Pi=1-gama模值平方就是0.75了,但其实呢并不存在理想导体,以手机天线钢片为例,材质一般为青铜磷铜白羊铜或是不锈钢一般都有损耗,这样导体损耗计算到里面差不多就和50%对上了,所以大家一般认为是50%,误区误区;所谓S11也不是大家认识的return loss,他们两个差一个负号,,即RL=-10lg(gama模值平方)是一个正值,可能有人为了让它显正,这样定义,但其实由于他俩只差一个正负号,对反射入射理解上不会有本质影响,所以这两一般都混用,基本定义概念理解就可以。而插入损耗insertion loss电路中定义是两点间传输系数,对于微波中多端口如上所说,定义某端口到另一端口的传输系数且有约束条件,默认除某端口外其他端口入射均为0,且某端口入射到的其他所有端口时,不能有反射,这样才能准确测量,实际操作就是,只给某端口馈点(其他端口入射为0),其他端口接匹配负载(无反射),具体我也不知道,呵呵。在电磁场中,其定义是在不同介质中,如两层介质,电磁波在经过不同介质分界面时,会散射(反射折射),即透射过去的电磁波/入射波就是传输系数了用T表示,所以IL=-10Lg(T模值的平方)

严格来说对于无源S12/S21没区别;对于有源就不一样了

S11是反射损耗

快6年前的帖子,让大家见笑了,这些年长进了一点,看看当年的发言确实有点好笑。这些年忙东忙西,很多时间都不是在提高理论,惭愧,进步的太慢了

S21在失网中选好后,测试的就是1点到2点的损耗!

你确认你的兄弟是做天线的?

按照S11=10Lg(gama模值平方),代入gama=0.5,S11应该是-6db,莫非我计算有误?

手误手误

S11叫回波损耗,S21叫插损吧,也可以叫隔离度。天线测试S11只是为了测试反射部分的功率,天线性能的好坏是看天线实际辐射出去的能量。S11好是天线性能好的必要条件。

Top