谁有温控晶体振荡器的原理介绍？谢谢

想要，谁可以奉献一下?

(温敏电阻+crytal+varactor)+oscillator=>TCXO

因为XO很容易随着温度而有所漂移，
于是把XO加入电压控制与温度补偿的技术，
来提高频率稳定度，这就是VCTCXO ( Voltage Controlled Temperature Compensation XO)

但VCTCXO成本高，且需要一组控制电压的讯号，
TRK_LO_ADJ，以及额外的RC滤波器来滤除谐波，这增加了成本与空间

而XO不仅比VCTCXO便宜，也比VCTCXO省空间，
而耗电流也比VCTCXO小，且温度承载范围，
也比VCTCXO来的广。因此Qualcomm在7系列，
采用的是VCTCXO，但到了8系列，几乎一律采用XO
所以为了克服XO频率稳定度不高的缺失，其校正会比VCTCXO来的复杂
因为XO的震荡频率，会随温度改变，
如果把XO在不同温度下的震荡频率飘移程度，
用图形表示，横轴为温度，纵轴为震荡频率飘移程度，
即FT 曲线 ( Frequency-Temperature Curve )
每颗XO都有这样的曲线，该曲线若用方程式表示，

不同的参数值，会有不同的FT曲线，
所以XO的校正，就是找出最佳曲线的参数，
至于C0 ，就是室温下 ( 25度 ~ 30度)，所对应到的频率飘移

另外，XO会有所谓的负载电容 ，影响震荡频率，
因此会有一组NV，
NV_XO_TRIM_VALUES_I (NV 4212)，
就是用来调校负载电容的值，进而调校震荡频率
由图可看出，负载电容值改变，
其频率偏移也会跟着改变，因此负载电容值不宜过大或过小，否则都会有频率偏移的现象

其他详细原理 可参照

在此就不再赘述

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