Wifi a 54M ch165 EVM 不良&USI wifi module （AT02-265）

现象：板子在测试 54M a 165信道的时候容易出现EVM不良,测试值左右10%.（其pass spec<6%）.
在这里小虾有些疑问向各路好汉请教：
1.手动测试发现EVM值一直在3~14%之间不停的跳动,偏差范围这么大?
2.这样的不良品，如果我用热风枪给Module加温后再去测试就会PAss,等Module凉了后又不良.为什么?
3.那些东西会影响Wifi 的EVM?
4.相位误差中的这个相位在射频里到底是衡量什么的? 相位是个什么东西啊?
5.哪有谁用过USI的module,想这样的情况判原材,厂商都是不认的.你们碰到过这样的情况没?

ps：该机型（手机）已经量产2年多,设计肯定不会有问题！

小编问题解决了吗?看下电源的滤波和晶振的频偏。解决的话分享下经验

EVM 主要衡量的是調製解調功能，如果外解有雜訊干擾，就會使調製解調的內容有偏差，就像兩個人講話旁邊有吵鬧聲你聽到的內容就會失真，可以考慮通過屏蔽或是在測試設備上加濾波器來試試，建議你解個2~3dB 的衰減器.

通常这种量产后的issue 比较不好抓
因为牵扯到良率 也就是可能100只Sample中
会有5只Fail之类的 (不良率5%)
当然也不是说Design没问题
因为如上述所说 牵扯到良率
可能研发阶段 或过认证时
因为RD手头也就十几片版子 看不出端倪
但量产 量一大 牵扯到不良率时
很可能Design issue此时才爆发
这时会有所谓的DFM(Design For Manufacture)检讨
不过即便是Design造成的不良率
理论上 在量产初期 应该就会因不良率过高 而被Highlight
没理由量产2年多才爆出该issue
所以确实HW Design的可能性不高
因为小编做了实验
如果用热风枪给Module加温后
再去测试就会PAss,等Module凉了后又不良
表示跟温度有关 我会想到是PA跟晶振的来料问题
电源滤波可能性不大 因为高温只能杀菌 不能杀Noise 哈
晶振则是因为震荡频率会受温度影响
依小编的实验去假设
因为加温后的EVM较好 所以若跟晶振有关
理论上加温后的Frequency error要较小
而放凉后的Frequency error要较大
因为晶振的震荡频率 是一定会受温度影响
尤其热风枪温度高达两三百度
但必须符合上述的变化
加温后 : Frequency error较好
放凉后 : Frequency error较差
这样才能证明EVM的issue 跟晶振有关

而PA的话 我想到的是Bias Point Setting
有可能加热时 高温去改变了PA的Bias point setting
一般温箱的高温测试 那种60度C
应该是还不至于会改变PA的Bias point setting
但热风枪两三百度 就很有可能了
由下图可知 PA的Bias point setting 跟EVM有关


所以可能加温后 PA的Bias point setting 跑到了线性度较高的区域
导致EVM Pass
小编可以做实验 观察加温后的耗电流 与放凉后的耗电流
是否有差异
因为线性度是靠牺牲耗电流而来
所以若该issue跟PA的bias point有关
那么
加温后 => Bias point setting跑到了线性度较高的区域 => AM-PM改善 => EVM Pass 但耗电流增加
放凉后 => Bias point setting跑到了线性度较低的区域 => AM-PM劣化 => EVM Fail 但耗电流降低
换句话说
若加温后的耗电流 比放凉后的较高 那应该就是这原因 因为加温后的线性度增加了

当然有人会问 若是PA或晶振 造成这项的不良率
量产初期怎没爆发 都量产两年才爆发?
原因是 有可能PA跟晶振的厂商进版了
也就是说
现在的PA跟晶振 跟两年前的不同
可能两年前的料 已经EOL了
现在工厂打的 是另外一批料
基本上 这可以由IC上面的Datecode去观察
虽然如小编所言
厂商未必会认这笔帐
但至少可以询问
PA跟晶振 是否同两年前的一样?
顺便可以问一下USI 是否有更新过Firmware
因为Firmware可能会动到PA的Bias point setting

本人也遇到一个EVM跳动问题： 11n MCS5~7速率下EVM -21~-29dB跳动。改了layout还是有这问题。
小编是否找到了类似原因，回帖跟跟呗?
求大神支招啊！

半年了，没下文了。lz能否交流交流啊！

恩恩

恩恩

小编什么情况啊，有答案没?