高通单芯片平台如何使WCDMA 校准功率输出到25dBm,通过更改静态NV

高通单芯片平台下，QSC6240,6270. 用QDART校准后输出功率怎么样才能输出到25dBm? 不要改线损，通过修改静态NV如何实现?
目前尝试更改NV539,NV_WCDMA_LIM_VS_TEMP （高通文档说此项NV 控制W2100最大输出功率）只能提高到23.7dBm左右，再向上加，功率也提不上去，好像功率被限制住了。而用QDART校准或FTM下功率可以扫到27dBm.
各位有没有好的方法可以提升W的输出功率?理论上是可以的，3GPP规范要求21--25dBm的。

这个有可能是你的Power detector校准时候，设置校准的span和offset太低了。
1.可以试验重新设置你的Power detector校准参数。将功率最大允许值设置高点。
2.可以试验你的High gain模式下，校准参数。将开始校准的PDM值设置高点。
有可能你的校准参数PDM_list 和 linear master表中最大就是23dBm左右。

回复sirbj
1.HDET 校准参数，尝试了几种设置方式，功率最大允许值设到了24，关于span和offset的设置是QDART默认的，好像是4，-4dB;
2.High gain下，开始校准的PDM我是从120开始的，初始扫描功率为24，感觉设的已经很高了。
从qdart校准后的log看，比较正常，没有异常的数据出现，功率正常扫到27dBm.
难道说它写到pdm_list 和linear master表里的功率从23开始写的?
不是的，我记的我从PDM 120开始扫的，PDM LIST表里是从120递减的，功率linear master表里功率是26，27dBm开始的。

尝试一下LIM_VS_FREQ这个参数

尝试一下LIM_VS_FREQ这个参数

尝试一下LIM_VS_FREQ这个参数

搬板凳，等结果

你确定用QRCT能把Tx都打到25dBm或者以上吗（RF Connector）?
校准里面是会显示扫到27dBm，但是那个应该是个插值算法。
有的Tx只能达到23或者24的，校准的时候也会显示27并提供对应PDM。

LZ,是所有的机器都这样吗?如果都是这样，应该可能是PA后级输出匹配比较偏，你可以根据PA load pull图，把PA的后级输出匹配往功率高的地方调，当然也要兼顾杂散跟电流！校准的时候PDM的开始值都不会设到120，太大了

80-VD861-12 P77, NV_WCDMA_TX_LIM_VS_TEMP = 12*[DesiredTxLimdBm – MinimumTxPwr] – 768，MSM7K是这个NV限制了最大输出功率，单芯片的应该类似~

楼上的各位，看完小编说的话再回帖嘛，人家已经试过LIM VS FREQ了，应该还有一项WCDMA_MAX_POWER项，小编试一下，我记得默认值是23
不行的话，用QRCT手动发一个PDM，看是否能稳定的发出25dBm的功率，如果可以，则排除PA能力的问题；
接下来的话让HDET失效，SPAN改成0，OFFSET改成255，看看active模式能不能发上去，如果可以，找这里的原因吧

NV_WCDMA_MAX_TX_POWER_I
This item specifies the maximum power that a phone can transmit in random access channel
RACH (channel)
LZ尝试一下~

80-N5420-171 COMPREHENSIVE MSM8974-MDM9X25-MSM8X26 FAMILY RF NV ITEMS.pdf