金属壳对射频指标的影响

金属壳对TIS、TRp影响可以理解，那对FE、PE有什么影响?
最近一项目，板测试没有问题，但是耦合测试时，在个别角度FE和PE会变差，此角度不一定是功率最大的角度，可能是金属壳接地不充分，去掉金属壳的话，试了几块板子不会有变差现象?
金属壳怎么会影响FE和PE呢 ? 是金属壳接地不好时，造成了二次辐射，影响到了一些敏感线从而影响到的吗 ?

也想了解?

呵呵,你真能混,都成研究员啦

影响 灵敏度 功率 可以理解?不明白为什么会导致FE和PE?

我想知道为什么外金属壳接地不好会导致FE和PE，是外壳二次辐射导致的还是什么 ?

其实我最担心的是传导性能没事，但是加入金属壳和天线后某些信道灵敏度，功率啊，ofrs啥的变差，这样就不好搞了。
没思路。

额。这种传导测试项的缩写用到辐射测试中我还一下子真没反应过来

靠，出去别说跟我混过！
Phase Error，Freq Error

啥是PE,FE啊?

你先答了。
你拿个好手机，把它拆得松松垮垮去测，辐射FE，PE大都会有问题。

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目前一个直板机DCS耦合功率最大27，去掉A壳可以测到32,这算正常损耗吗?我已经反复实验了A壳接地点位置，无法超过28。这种情况该怎么解，主板是短板。

很有道理，不过我问的是金属壳接地好时，FE和PE都没问题，但是接地不好时，FE和PE会变差，传导测试都没有问题。所以我的问题是耦合测试时为什么金属壳接地不好时为什么会使FE和PE变差?

FE/PE变差，最直接原因通常都是RF IC 受到干扰。
至于干扰路径：可能是从PA反馈回去（传导路径），也可能是因为干扰辐射（辐射路径）影响到RF IC。
只要找到干扰路径就可以想办法解决。
理论上也存在一种可能性是PA被干扰到造成的影响--但是这种影响的几率因该比较小。

路过学习。

有木有人来解释下哈 ……

传导正常，就不是板级问题，多半是辐射问题。
这个设计是金属壳，金属壳接地好，可以作为天线的参考面；金属壳接地不好，或许就影响到天线性能（因为天线的参考平面一般就是手机主GND）。
还有刚刚看到Iphone4的拆解报告，金属外壳是作为天线存在的--这个外壳接地好坏应该对于天线性能影响更大吧。

路过学习。

金属天线高大上

不一定，我之前做RDA的项目，做了十几个项目，几乎每个项目的天线耦合都有频率误差，主要是DCS和PCS，特别是带金属壳料的手机，几乎百分之百要处理一番，而传导测试都是非常好的