RF的PA前置隔离度差？

05-08

做了好多RF716X系列的手机，基本上PVT的前端都会有如图所示的现象，就是RAMP UP前面那段水平的很高，特别是高频小功率时更明显。听说是RF的PA隔离度差，平时做实验也感觉得到。请问下这个隔离度是什么的隔离度?这个隔离度差是PA内部做时做的差还是PCB板走线的隔离度差?隔离度差怎么会影响到PVT的那儿?

RF的PA前置隔离度差?

与PAEN应该没有什么关系吧，做了好多项目基本上都会遇到这个问题。

先做一下实验看，结论不要下的太早，这样是找不出原因的

所谓PA前向隔离度，就是PA_EN不打开的时候，输入功率进来了，理想状态应该是没有输出的，因为我EN还没来呢，但是事实上还是有一部分功率能够通过PA，从PA输出脚漏出去，这个漏出去的Pout/Pin就是所谓前向隔离。
现在这些ASM和PA做在一起的，前向隔离概念可能就要加上ASM的隔离度了，不光是光PA的前向隔离了。

正常的时序应该是ASM开关在PVT第一个坎之后再打开的，至于PA_EN就要看PA的要求，有些要求早点打开，有些不要求早点打开的话也可以放到第一个坎之后和ASM一起开，这样前面一段会好一点。但是ASM的控制无论如何都要在第一个坎之后。
PVT前面这一段的功率大小由两部分来源，一是PA输入到PA输出，就是上面说的前向隔离这个来源，二是也有可能是TX信号通过TC的RX port，通过SAW，通过ASM接收口，漏到ANT，port去的。具体在板子上那个来源占比重比较大，要具体分析。方法也很简单，把接收路全部断掉（全部哦，所有频段），非信令单发看看，改善很多的话就是RX口过去的（改layout加强TX RX隔离改善），没有改善的话就是TX 前向隔离过去的（调整时序，改layout加强PA输入输出隔离改善）

楼上分析的很透彻，补充一点，如果是从接收过来的过去的信号，可以通过调试接收的匹配来解决，1900的有底躁问题就调1800的接收匹配，900的底躁问题，可以调试850的接收匹配，如果是850或是1800有问题，调试接收就没用了，就是如楼上所说的是TX的前向隔离过去的，就要检查一下PCB的layout，我遇到过是PAEN的问题，更改时序没有作用

这个什么原因，怎么搞呀，遇到好多次了。

没人遇到过吗?

顶顶顶一直到高手出现

详细的说下撒

话说开始新手的时候，PA时序没用的时候置“1”了，结果和小编的图像一样，后来置“0”就好了

TX-EN一般都叫做为了PA-EN。但不清楚他说的这个干扰是指PA使能还是PA的TX使能?

一般PA-EN会接个RC延迟吸收回路，让边沿上升不至于引起过冲，同时也可以有滤波降噪功能。
有些PCB LAYOUT问题，如果注意电路设计的话，可以从原理的源头解决，而解放LAYOUT的难度与约束。

TX-EN就是PA-EN，我一般喜欢叫TX-EN
PA-LOGIC，就是RAMPING

注意如果用的一进4出的二合一SAW，850/900-1800/1900共用一路的这种，2频转4频RX输入匹配本身SAW的前端1/2是共用的，通过调输入匹配去降噪效果更不明显，你调850会串到900，调1800会串到1900。

这个前向隔离度很差，很容易通过ASW串到front-end干扰到TX输出。
RX回路，虽然是无源的，但是一旦串到TX，难去除。
PA的前向隔离度是有源的，会放大噪声，除非本身特性做的不好，一般调EN时序都可以切干净。

都是高手啊

发射线离PA EN远一点就可以了，不要直接相邻

新手漂过~

有什么解决方法? 就是使发射线和PAEN隔离，尽量隔离的好?

PA一般直接接Vbat。这个PAEN是指什么，是TXEN还是PA logic ?

我只是碰到过，但是具体的原因还没想清楚，你可以把PAEN拉出线来，碰到你的发射线上，底躁会有明显的提升，可以证明PAEN受干扰也会造成这个问题

PAEN受干扰了怎么引起的?PAEN只是PA的一个使能控制信号吧，如果是干扰了可能会导致PA异常操作吧，怎么会增加那一段的底噪呢?

分析的很好。这种情况平常很多遇到过，听他们有人说，是RFMD的PA的前向隔离度差，看到有人说有修改时隙改好的，具体不清楚。不过你这个建议下去尝试下，非常感谢。
用RF PA的应该不少，难道没人遇到过?

非常感谢，因为好多项目都遇到了，所以觉得不应该是都受了干扰。不过下去关注下，看下是不都有这个问题。

高，实在是高

先做一下实验看，结论不要下的太早，这样是找不出原因的

与PAEN应该没有什么关系吧，做了好多项目基本上都会遇到这个问题。

检查一下PAEN是否收干扰了，有没有直接和射频线相邻?

离的都很远的

呵,高人都出来了,小菜也发表个感受,我也碰到了几个项目,也是同小编一样的问题,我也搞RX断开了,但还是一样的了,没有变化,也去调了时序,改的是TX的时间定义,效果也是没有的,难不成还的改逻辑定义,求解,

高人说说,解答下,

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留名学习

难道就是改这信时序文件吗?
------------------------------ Low Band Signal Swap ----------------------------------*/
/*AD6548*//* 0:GSM850 Signal go through GSM850, GSM900 Signal go through GSM900 (default) */
/*AD6548*//* 1:GSM850 Signal go through GSM900, GSM900 Signal go through GSM850 */
/*AD6548*//*-----------------------------------------------------------------------------------------*/
/*AD6548*/#define GSM850_GSM900_SWAP 0
/*AD6548*//*------------------------------- High Band Signal Swap ---------------------------------*/
/*AD6548*//* 0:DCS1800 Signal go through DCS1800, PCS1900 Signal go through PCS1900(default) */
/*AD6548*//* 1:DCS1800 Signal go through PCS1900, PCS1900 Signal go through DCS1800 */

个人顶起,,,

30楼所说的是TC交换频段用的
/*AD6548*/#define GSM850_GSM900_SWAP 0
这个0 1的切换是将RX 850 900交换
高频也是同样的道理
具体的关于这个时序的问题
可以参考MTK release的L1

10楼讲解的很精辟！学习了。

很像是底噪高，需要PCB Grounding 改善来解决

我遇到并且解决了，天线开关处泄露。注意天线默认打开的是哪个通路

学习到东西了

分析的很有道理

小编，就算是同时打开他们的延迟也是不同的，所以肯定还是有参数控制的。
找配置文件中那部分是开关逻辑控制，哪部分是PA EN。

现在都是PA集成开关了，应该是同时打开的吧。
这个怎么看是先打开哪个的?看哪个值，一般都只关注PT2。

你现在是先开TX_EN还是先开ASM的? 就是先打开PA后开开关还是先开开关后开PA。如果先开PA后开开关应该会改善这个问题。

问下没用的时候是指什么时候，pt1吗?

可以把PT2改小试试。

看一下RF716x的datasheet，里面有forward isolation 1/2的测试条件。一般容易忽略的因素是Vramp=0.25V。这个值偏大或者偏小，都会导致楼住提到的问题。

这个可以调时序解决的，在时间不到的时候把天线开关打到发射状态就好了，隔离度会好10个DB左右，谢谢，修改在RF配置文件！

正解~~~~~~~~~~~~100试不爽

此贴强力mark

这贴高人好多。赶紧学习一下

我自己又结合前面几位大侠的意见,想了一下,这样做的确实是有好处的:比如在900段的PA打开前,先把开关打到高频的接收去,那这样即使PA隔离度不好,但它跑出去的功率在ASM那里过不去,即使TC的功率从TC的RX端口跑出去了,只有900RX的SAW对它衰减小一些,1800的SAW对900的TX信号衰减还是比较大的,所以也能较好的改善这个问题.

哇！惊见海大指南针重出江湖,虽然是去年的帖子了.
这个我以前确实遇到无数次,有一个改善的方法,只是楼上某位说错了.具体操作是:当900 TX时,把900的PT1打到1800的RX去,同样的1800 TX时,把1800的PT1打到900的RX去,大约可改善10db.

路过，学习下

是否在此區域修改?
/*MT6252RF*/ #define PDATA_GSM850_PR1 PDATA_IDLE
/*MT6252RF*/ #define PDATA_GSM850_PR2 0x0
/*MT6252RF*/ #define PDATA_GSM850_PR3 PDATA_IDLE
/*MT6252RF*/ #define PDATA_GSM850_PT1 PDATA_IDLE
/*MT6252RF*/ #define PDATA_GSM850_PT2 PDATA_IDLE
/*MT6252RF*/ #define PDATA_GSM850_PT2B 0x8
/*MT6252RF*/ #define PDATA_GSM850_PT3 PDATA_IDLE
/*MT6252RF*/ #define PDATA_GSM_PR1 PDATA_IDLE
/*MT6252RF*/ #define PDATA_GSM_PR2 0x0
/*MT6252RF*/ #define PDATA_GSM_PR3 PDATA_IDLE
/*MT6252RF*/ #define PDATA_GSM_PT1 PDATA_IDLE
/*MT6252RF*/ #define PDATA_GSM_PT2 PDATA_IDLE
/*MT6252RF*/ #define PDATA_GSM_PT2B 0x8
/*MT6252RF*/ #define PDATA_GSM_PT3 PDATA_IDLE
/*MT6252RF*/ #define PDATA_DCS_PR1 PDATA_IDLE
/*MT6252RF*/ #define PDATA_DCS_PR2 0x2
/*MT6252RF*/ #define PDATA_DCS_PR3 PDATA_IDLE
/*MT6252RF*/ #define PDATA_DCS_PT1 PDATA_IDLE
/*MT6252RF*/ #define PDATA_DCS_PT2 PDATA_IDLE
/*MT6252RF*/ #define PDATA_DCS_PT2B 0xA
/*MT6252RF*/ #define PDATA_DCS_PT3 PDATA_IDLE
/*MT6252RF*/ #define PDATA_PCS_PR1 PDATA_IDLE
/*MT6252RF*/ #define PDATA_PCS_PR2 0x2
/*MT6252RF*/ #define PDATA_PCS_PR3 PDATA_IDLE
/*MT6252RF*/ #define PDATA_PCS_PT1 PDATA_IDLE
/*MT6252RF*/ #define PDATA_PCS_PT2 PDATA_IDLE
/*MT6252RF*/ #define PDATA_PCS_PT2B 0xA
/*MT6252RF*/ #define PDATA_PCS_PT3 PDATA_IDLE

能具體說明在.h檔中怎麼修改嗎?

我们一进4出的SAW 1900 低噪大
1800 正常
这是为什么啊?

Mark 一下

都市高书啊

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