天线阻抗线会对其它性能有影响吗

05-08

如附件，天线的阻抗线绕PA比较长，会对HB-TX造成引起吗，如果有影响会对RF的哪些性能指标有影响，请高手讲解下，谢谢！

最基本的肯定是损耗大了。现在板子就那么小点地方，没办法也可以这样做，不会有太大影响

距离引脚1~8之间的距离太近了，而且中间没有打地孔。
另外，与GSM HB TX_in 距离太近，中间也必须多打地孔

只这个看图的话，芯片转180°会不会更好些?

楼上有道理！

左边应该是板边了，TC在右侧，肯定是没法转的了，否则小编也不会纠结了。

应该没什么问题。

如果靠太近隔离不好，会影响pvt

我是来学习的。

SKY77590 ? 告诉小编一个很不幸的消息，这样设计可能会有问题，曾经跟小编走基本一样的方式，ANT线和PA间还有那么点距离，但是还是会有些杂散信号出来。因为TX功率不可避免的要串到PA内。等板子回来小编看看谐波杂散吧。

谢谢，各位回答。

学习学习

几点供参考：
1. PCB加工制造存在误差，线太长，阻抗连续性会受影响；
2. 即便阻抗匹配，由于走线的导线损耗以及PCB的介质损耗（频率大于1GHz后，介质损耗开始占主导地位），会有一些信号衰减，数量级大约在0.1dB/Inch；
3. 如前面网友所言，天线不可避免会有杂散辐射，你要实测才知道结果。
我的书《从应用到创新----手机硬件研发与设计》的“信号完整性”一章中，重点讨论了导线损耗与介质损耗，你可以参考。

你的书网上有吗?

纸质书网上有的卖，电子工业出版社新鲜出炉。如果你指电子档，实话告诉你，我都没有最终排版好的文件（人家出版社轻易不示人的）。

我去看看哈

我看了介绍，内容非常全面。

pa逆时针转 90度. 谁placement成这个鸟样的?

右边的地太差了, 小编自求多福吧

要么转90度，要么在焊盘上打孔，自求多福肯定没用。
对了，你们现在招人还顺利不?

慢慢在招啊

有板友说是SKY77590
查了一下还挺像的

那就姑且当它是吧
如果是有一点我很好奇 Pin26一出来的串联组件是啥?

如果是DC Block 那人家早有内建啊何必加?

如果是Matching 那更奇怪
SKY77590是FEM PA跟ASM包在一起
涵盖频率广由Datasheet来看从824 MHz ~ 2690 MHz

所以若跟下方的三颗组件

兜成4颗组件的匹配电路 , 来做宽带Matching , 理论上是说得通
假设这是搭配MT6582的话由参考电路看来
也是放4颗组件作宽带Matching ,

但重点来了既然是Matching
应该4颗要放一起才是
怎会一颗离这么远? 然后其他三颗放一起
这是我比较纳闷之处

言归正传这样的Placement跟Layout 可能会有几个问题
小弟就将以上诸位大侠的意见归纳一下好了

1. Loss变大这肯定的走线变长嘛
因为这是FEM Tx跟Rx都会有
以Rx角度而言那就是Noise Figure升高灵敏度变差
以Tx角度而言因为PA output的Loss 校正是补不回来的
因此
可能原本最大饱和功率可以打到34 dBm 现在只能打到33.5 dBm
当然也许你会说 GSM 850/EGSM 900的Target Power是32.5 dBm啊
我还是可以达标啊
是没错但考虑一下Back-off
34 – 32.5 = 1.5
33.5 – 32.5 = 1
Back-off量由1.5 dB变成1 dB 这会导致线性度下降(因为更接近饱和区)

另外假设原本FEM输出到Connector没有Loss
PA的Gain为30 dB 那么若Connector要32.5 dBm
则PA的input power为2.5 dBm
但是若FEM输出到Connector的Loss为0.5 dB
那么input power就会变3 dBm

换言之 Loss变大会使DA需要打更大的功率输入到PA
你DA的输出功率大其线性度就下降
有可能DA出来的谐波/ACLR/EVM就已经很差
而PA是最大的非线性贡献者
过了PA之后的谐波/ACLR/EVM 只会更差不会更好
这会使得Tx Performance劣化
再者 PA的input power变大
也会使PA的线性度下降那么Tx Performance也会劣化
还有一点 DA打更大的功率意味着耗电流就提升那么待机时间会缩短

因此以Tx角度而言这样的走线
会使Tx Performance劣化且耗电流提升

2. 阻抗偏掉因为PCB制程关系多少会有误差
你走线太长太细阻抗就容易偏掉
若是PA input的走线就算了
偏偏你这还是FEM的输出 TX/RX都会受影响

3. 还是阻抗偏掉但是跟两旁参考地有关
Pin1到Pin8都是GND Pin 把它们连起来去当走线右侧的参考地

这看起来是很省空间的作法但实际上会有问题
因为以Microstrip Line架构去算阻抗控制时
软件是假定你走线跟GND上方都是空气

但当你FEM焊上去后走线右侧GND上方就不是空气了
亦即介电常数改变那么阻抗当然会偏掉

4. 噪声乱窜
因为你Pin1~Pin8的GND Pin 全都连在一起
这表示只要其中一个GND Pin有噪声
抱歉所有Pin1~Pin8的GND Pin 统统中奖
加上你Pin1~Pin8的GND Pin 还跟Matching的落地组件共地

所以到时这些噪声也可能透过Matching的落地组件
逆流而上去干扰讯号
如果说这些GND Pin有打Via就算了

这样Noise至少透过Via流到Main GND 不会乱窜
但你今天都没打GND Via 这就很危险了

反过来讲讯号线的Tx讯号也会耦合到GND Pin

如果再透过GND Pin乱窜到FEM内部那整个Tx/RX性能都会受影响

5. 辐射杂散
今天哪怕你走线不走板边 PCB边缘都会有辐射

更不要说你还把走线走在边缘所以像GSM这种Power比较大的
谐波就容易辐射出去

而且任何讯号都会构成回路
就算不走板边光你走线拉这么长回路面积加大
其辐射杂散强度也会跟着变大

当然也不是说 FEM放板边就一定会出事
同样都用SKY77590
中兴青漾2

华为喵王

只是仔细看他们的Pin26 都离Connector很近
走线不但短而且都走内层
只有到了Connector前面的Matching才走表层
这样至少谐波不会辐射出去
因为都被上下两层GND吸住

但你的Placement

就算有放Shielding Can 但你走线是走表层而且离Shielding Can又很近
若是两件式的Shielding Can，其Shielding Cover会盖在Shielding Frame上方，

若Shielding Cover与Shielding Frame的接触不是很紧密，
则会产生时而开路，时而短路的情况发生，
这样的行为模式，宛如一个Switch。
而Switch为非线性组件，会有非线性效应，谐波便是典型的非线性效应之一。

因此，若Tx走线离Shielding Frame太近的话，
则其谐波会透过寄生电容，耦合到Shielding Frame。
由上图可知，虽然Shielding Frame会透过GND Via，与Main GND连接，
但若Shielding Frame接地不够良好，则这些谐波能量并不会全部流到GND，
而是会有一部分，再透过Shielding Frame与Shielding Cover的寄生电容，耦合到Shielding Cover上。
前述说过，任何金属若没接地，便是辐射体，
因此当Shielding Cover与Shielding Frame未接触时，
此时Shielding Cover会等同辐射体，将其谐波能量辐射出去，
而且会因为其Switch模式的非线性效应，导致其谐波能量会更为加强，这会使辐射杂散有超标的风险。

而且你这是FEM 也有Rx讯号
Shielding Cover上的外来噪声，并不会全部流到GND，
而是会有一部份先耦合到Shielding Frame，再耦合到其RF走线，
因此若Rx走线离Shielding Frame太近的话，则可能会有Desense的问题。

因此如果真要改善
那就是你Pin26出来的线要走内层虽然长度没短多少
但至少屏蔽效果较佳

如果要再好一点那就是整个Placement大改
因为我猜你应该Transceiver在右边天线在下方

如果逆时针转90度

是没错 Pin26到天线的距离缩短了
但是仔细看 Pin19 ~ Pin24的距离拉远了
这几个Pin都是从WCDMA Duplexer输出端拉过来的
若你这些Duplexer也都放右边
那么线一长那你WCDMA的Tx/Rx/耗电流都会劣化
其实也不会比较好
除非是你把这些WCDMA的PA跟Duplexer都一并放到FEM上方
虽然把Duplexer放到FEM上方后离Transceiver更远灵敏度会下降
但至少可以缩短WCDMA PA到FEM的距离可以救WCDMA的Tx跟耗电流

其他详细原理
可参照

在此就不赘述