TDSCDMA 测项CLPC 主板产线复测率高 分析没有方向
05-08
1. 手机 TDSCDMA 测项CLPC 半成品 MLB产线复测率特别高 主板第一遍测试不过 第二次复测大多数可以过得 影响生产线产能 现在分析没有方向 哪位高人给点方向
测试仪器用的是IQ3140 看了CLPC的wareform(波形)都有在的
2.手机 WiFi 半成品主板(MLB)测试 EVM 复测率特别高 哪位高人给点方向 用网仪 等 确认测试环境 仪器 治具 那一部分是否有问题
测试仪器用的是IQ3140 看了CLPC的wareform(波形)都有在的
2.手机 WiFi 半成品主板(MLB)测试 EVM 复测率特别高 哪位高人给点方向 用网仪 等 确认测试环境 仪器 治具 那一部分是否有问题
使用什么平台?
1.分析具体在哪一段失败
2.PA功率等级切换点注意一下
3.温度补偿点注意一下
4.校准可能出问题,校准步进可以改精确点
看期是否调好,看下fail点,如果在切换点附件改切换点试试了。
qualcomm(高通)
TDS Band37 DL CH10087 CLPC StepE 71
TDS Band39 DL CH9404 CLPC StepE 16
TDS Band39 DL CH10054 CLPC StepE 71
PA功率等级切换点注意一下
这是指什么那
3.温度补偿点注意一下
4.校准可能出问题,校准步进可以改精确点
CLPC 跟校准会有关系吗
使用的是高通平台的话,
NV项:RFNV_TDSCDMA_<band>_PA_RISE_FALL_I
切换点计算公式是:(PA_swpt_in_dBm × 10) + 700
从NV里面读取的值,通过以上公式反算出切断点对应的功率值
有关系。
1.功率校准分不同功率等级进行校准,各个功率等级之间的衔接要连续,不能出现断续
2.校准信道一般是中间信道,可以增加校准的信道,让其校准高中低信道
3.功率校准ranp值步进要尽量小,高通默认应该是最小步进值,是1.
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