电源部分的去耦电容该如何排列？

先大后小原则，即大电容靠近电源，小的在后面

可是这个是什么原理呢?不同的电容置是用来滤除不同的谐波成分的吗?

这个排列是不是只是针对于PCB的LAYOUT的时候用的啊?就是不太清楚具体的原理……

The small value in the small package should be placed closer to the component, to react very quickly to current changes and have a minimum impedance in the connecting traces. The larger value capacitance has a larger inductance and typically a large series resistance, but is more effective at lower frequencies

我也想知道这个问题，盼高手回答。谢谢拉

求教一个问题

The small value in the small package should be placed closer to the component
这里的component指的是电源IC还是被供电的IC。
“先大后小原则，即大电容靠近电源，小的在后面”
根据二楼这个说法，理解应该是靠近被供电的IC，不知道对不对?

对，大电容旁路，小电容去耦

大電容濾低頻,小電容濾高頻.
這根據你的供電電壓和電流,以及你電容的上升時間,可以計算出所需要電容的值.
具體的公式我忘記了,不然可以跟你共享啦！

电源输出端，会有低频的Ripple，与高频噪声，


因此电源走线，会同时摆放稳压电容与Bypass电容，以便同时达到稳压与滤除高频噪声之效。
而落地电容的摆放位置，越靠近IC越好，因为这样可以有最小的回路面积，
故稳压电容与Bypass电容，都要尽可能靠近IC，
其中Bypass电容，又必须比稳压电容更为靠近IC，这主要与去耦半径有关。



因为电源输出端的稳压，隶属于低频范围，故稳压电容的去耦半径较大，
而Bypass电容，因为用来滤除高频噪声，故去耦半径较小，


若落地电容摆放离IC过远，超出了它的去耦半径，则落地电容将失去其作用。
因为稳压电容的去耦半径较大，即便离IC远一点，也不至于超出去耦半径，
但Bypass电容去耦半径较小，只要离IC稍远，则可能超出去耦半径，以至于失去抑制噪声效果，
故Bypass电容，必须比稳压电容更为靠近IC。
其他详情可参照


在此就不赘述