手机COMS PA 和 GaAs PA 的区别

GaAs PA 有高增益 高效率 低功耗的特点 不过价格高成品率低
COMS PA 增益比前者低 不过便于集成和量产 对于空间和成本考虑比较有优势 它的效率和前者比如何呢? 功耗呢
?
还有大家应用在手机的 PA中都是哪类PA呢，想学下这方便的知识，希望大家不不吝赐教

InGaP HBT 这种工艺又是怎么呢 有什么特点呢 ?

三星是做CMOS PA 写错了 效率不错的

我是想知道不同的工艺PA 有什么不同的特点 现在大致了解点 比如GaAs 的是效率高 线性好 而COMS得是集成度高 成本低 适合批量生产 了解不深

小编 你是做什么的? 手机RF还是?

这么说吧，砷化镓效率高，技术成熟。影响他价格的因素是砷化镓本身的成本是固定的，和成品率无关。砷化镓PA的成品率已经很不错了，也便于集成和量产，因为技术太成熟了。
首先效率和功耗是一回事。CMOS PA的效率比前者要低，不过从前几年开始，我测得CMOS PA的效率逐渐提高，技术也在成熟。当然CMOS在谐波，负载牵引外还比不上砷化镓。
另外三星在做CMOS PA，而且性能很不错

CMOS PA AXIOM做的早 但好像效率不行
三星的 CMOS PA今年出来了

Axiom PA的确不行，下一代不知如何。
Samsungd PA的效率已经非常好

谢谢大家乐 我是做手机RF的 不过不是ODM 所以对于器件的选择不是很懂 再次表示感谢

Samsung 有做手机用的PA啊?
请问Samsung PA的产品编号是什幺呢?

请教AWP666， 能不能多提供一些三星PA的资料啊? 因为在市场上从来没有看过他们的东西。 已经量产了吗?

三星的PA还能用，试了一下直接PASS

COMS PA有 AXIOM /RDA /SAMSUNG/还有其它厂家的吗? 他们几家PK怎么样? SAMSUNG在网上很少资料,谁有帮忙共享哈.谢谢！

传统上，功率放大器一般是由硅锗工艺或者砷化镓工艺实现，而用标准的CMOS工艺实现起来非常困难。主要原因是，CMOS工艺所能够承受的电压非常有限，一般来说只有2-3V，但是一个非常普通的2W级功率放大器却需要20V的峰值电压。另外，在输出匹配方面，功率放大器需要50ohm输出，需要高品质因数器件来实现较高的效率，但这些器件采用普通的CMOS工艺却难以制造。
为了达到高频率，cmos要求体积小
为了达到高功率，cmos要求体积大
高频高功率对于cmos工艺来说是一对矛盾，因此一般射频功放都很难采用cmos工艺实现
现在cmos工艺提高了，其耐压值和制作成品率也大大提高

三星的PA还真没有用过。

CMOS PA线性做不好，但是成本可以控制的较低。

好像现在一家叫 Amalfi的公司也是做CMOS的，AM7802和AM7801很多人在用，效率超越所有GaAs PA,不知道有没有兄弟知道

没想到后面是广告，不过确实了解了 多谢大家了！

可以这么理解不：CMOS动态范围也小，目前还不能用在WDMA这块?

有趣。