WCDMA PDET这根线要上下左右都包地吗？

Transceiver 对于其输入的Power有一定的限值，若是输入的power过大会烧坏transceiver，因此在其power输入端需要加上一个衰减网络，以达到PDET上的power经衰减网络后满足transceiver的power输入要求为准，至于衰减网络的计算就需要你去查查相关资料了。

向大牛提问：
PDET上的衰减电阻是衰减多少dB是怎么定的，如何计算?

就是射频线，插损大小相对来讲无所谓，所以不用挖。

PDET是RF走线 阻抗控制跟包地都要做好
Layout时，PDET最好走内层，用GND包好，尤其是MMPA

另外，WCDMA对于输出Power控制很严格，
因此会以PDET与Coupler，去侦测PA输出端的功率是否正确，
因此若Coupler的Trace未做阻抗控制，或是受到其他噪声干扰，
会影响功率侦测的精确度，进而影响振幅误差，导致EVM变差
同时也会因影响Power控制 导致ILPC变差

WCDMA PDET这根线要上下左右都包地吗?

WCDMA PDET这根线要上下左右都包地吗?

包地，走阻抗线。
如果不能挖层，可不挖。

非常感谢

PDET是RF走线 而且是很关键的RF走线
阻抗控制跟包地是一定要
Layout时，PDET最好走内层，用GND包好，尤其是MMPA

另外，WCDMA对于输出Power控制很严格，因此会以PDET与Coupler，
去侦测PA输出端的功率是否正确，因此若Coupler的Trace未做阻抗控制，
或是受到其他噪声干扰，会影响功率侦测的精确度，
进而影响振幅误差，导致EVM变差
另外也因为会影响功率控制
所以可能Inner Loop Power Control会变差

WCDMA PDET这根线要上下左右都包地吗?

WCDMA PDET这根线要上下左右都包地吗?

　　
　　PDET是RF走线而且是很关键的RF走线阻抗控制跟包地是一定要
　　Layout时，PDET最好走内层，用GND包好，尤其是MMPA
　　
　　另外，WCDMA对于输出Power控制很严格，因此会以PDET与Coupler，
　　去侦测PA输出端的功率是否正确，因此若Coupler的Trace未做阻抗控制，
　　或是受到其他噪声干扰，会影响功率侦测的精确度，进而影响振幅误差，
　　导致EVM变差
　　另外也因为会影响功率控制所以可能InnerLoopPowerControl会变差
　　
　　

WCDMA PDET这根线要上下左右都包地吗?

WCDMA PDET这根线要上下左右都包地吗?

大哥，这是RF走线，不仅需要包地，还需要阻抗控制。没包地后果很严重的。

楼上的各位，分析得实在的好，谢谢

说的很好！

只有在maximum power发射的时候PDET才会参与闭环功控，因为每个手机都会校准，所以这个RF走线不是很关键，只要不靠近数字和大功率走线，差损稍微大一点小一点问题不大，对内环工控也不会有什么影响。

這是RF 要做阻抗控制
要 依據實際PCB 堆疊的狀況 布置

收发芯片对检测功率也有一个最佳值，在最佳值附近检测效果最好，DET功率过小、或过大，检测功率ADC就不准，导致输出功率控制不准。衰减值=耦合功率-最佳检测值，耦合功率=PA输出功率-PA内DET的耦合度，其中PA输出功率约为目标功率+3dB（双工器和通路插损）。

反正要衰的，阻抗不差太多就行。GND还是要包的。

这根线，不用做阻抗的。我们公司的项目 都没做 只有故意一下隔离 就行了。

不包问题不大，因为信号很小。主要是靠检波管电路的，和你包不包地没多大关系，当然，条件允许，包比不包总要使信号更纯。