手机低温射频性能变差，请教原因？

会不会是系统时钟的温度补偿与校准没有做好，所以导致在低温的时候系统时钟频率不准，或者是晶体振荡器不满足要求。

在没有器件不良引起的情况下，个人理解原因有：1. 校准与温度补偿不对 2. 温度检测电路的灵敏度较差 3. 软件设置不对

不知小编用的是什么晶体晶振。指标性能能达到-20‘C~+70’C吧?

有可能喔
因为不同的温度
会对应到不同的震荡频率
所以震荡频率会因温度而频偏
若发射讯号的频率偏移，
当然量出来的Power 有可能偏小

所以若要确认是否这因素 可以先看此时Frequency error 是否变大
若是的话
就K一下XO 把FT Curve再校准一次 然后再测一次
一般而言 VCTCXO的温度承载范围 比单纯的XO较窄
因此再来先确认一下 你的VCTCXO/XO 能否承载到-20度

手机低温射频性能变差，请教原因?

是低信道么，SAW的温飘考虑没

首先说一点，温箱-20度，手机温度应该还会高些，晶体在这个温度下工作应该不会有什么问题。
其次是功率问题，温度低功率应该是上升，但是你这个功率还降低那么多，可能是温补的问题。但是温补一般又不会差太多，看看是不是温度值读错了。
曾经遇到过读的温度值是错的导致温补值完全乱掉的情况。