请教:关于射频芯片的割地处理
05-08
MTK的射频的 tranceiver芯片MT6120的“地”PAD下面(如图)一般要要做割地处理,将表层割地。
请问各位大虾,为什么次表层不要割地(以此来增加相邻层两个“地”PAD之间的距离,减小等效电容,如同晶体的表层和次表层的割地)?它的割地是为了减小同层和“地”之间的距离来减小等效电容吗?
它的割地作用是什么?
还有屏蔽罩的割地?
请各位大侠指教。
多谢!
请问各位大虾,为什么次表层不要割地(以此来增加相邻层两个“地”PAD之间的距离,减小等效电容,如同晶体的表层和次表层的割地)?它的割地是为了减小同层和“地”之间的距离来减小等效电容吗?
它的割地作用是什么?
还有屏蔽罩的割地?
请各位大侠指教。
多谢!
保证射频电路部分有单独的地到主地,和其他数字和模拟电路共地也是噪声的来源。
LS正解!
多看看6139的设计指导吧
学习一下!
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