关于PA旁边的坦电容

一般都是 越大约好 (>15uf .33uf,22uf,47uf,68uf...100uf)
耐用>=6.3V 估计就差不多。
陶瓷或者钽电容都可。 成本为先。

actually, the capacitor to PA has more function , filtering, decoupling
when u meet EMC problem, e.g. the third harmonic , you'd betten focus on the power supply to PA, different value of capacitor will be help.

还要注意 ESR must low enough 一般<150u比较好

How can the capacitor to PA contribute to filtering ,decoupling? Together with bead front of it?

Tantalum电压要>10V，容值大于100U,Polymer的>=6.3V就可以了容值一样，>=100.如果Bat connector很接近PA，PA用的是比较好的，可以不用这个。

钽电容是比较的好，但是成本太高，尽量少用

钽电容用在PA上，对电源的稳定性有很大改善，PA会引起噪音等方面的影响，所以要考虑多方面的因素

Must know why we use it so that we can make sur the value！

ding

成本太高了吧,呵呵

现在有新材料的固体的电容，比但电容体积小，寿命长，效果也好。就是贵

由于用直流源供电时，文波比较大。所以加上这个大家伙的电容是为了提高电源的性能。而且PA对电源的要求比较高的哦！

为了滤去谐振波，我觉得应加100uF左右的，不过要看芯片商的方案

一般芯片厂商都有推荐应用电路的！

一般PA的资料上都有推荐值的，如果这里出了问题，可以考虑调一调这颗钽电容以及旁边的陶瓷电容。

一般用15uF就可以

原来是用22uF的 正在考虑换成10uF的

PA跟前放10u就好了，陶瓷的，不过离电池比较近。
然后再并上几个小电容，22p，10p。

钽电容非常重要。对耐压的要求也高啊！特别是电源板和射频板之间的连接供电，有的管子对PA的指标起关键性作用时，注意在射频功率管与供电之间使用钽电容，。可以起到很好的偶合，保护作用

一般使用10u 的为多

耐压要高一些，否则将会出现意外：）

其实我觉得,不同的平台用的电容值是不同的，满希望大家在探讨的时候注名是什么平台,这样更方便象我这样的菜菜学习学习.

soloistcat说的对，这个电容并非越大越好，要看你需要滤除什么样频率分量。倒是电池连接器旁边的电容似乎大一些会比较好，呵呵！

一般選擇 LOW ESR的100UF以上的,主要是儲能和退耦.

这颗电容当然是越大越好了，但是要考虑你的成本的话，选一个差不多大的就行了，耐压最好大一点

按照datasheet上推荐的就可以了啊，一般都会写明什么电容，耐压多少！

电容的大小和PA的选用有关吧,不同PA选用的电容不同吧,当然用钽电容较好,但价格好像不低哦！

真的是愈大愈好嗎? 有認真想過為什麼會放一個電容呢 ?
一般的CHIP IC 都有BOMDING 小電容是為了消除電感 所以一定要放在CHIPSET週邊！
而大電容是為了穩壓和濾波用......太大真的有用嗎? 有本書 叫PRINTED CIRCUIT BOARD DESIGN TECHNIQUES FOR EMC COMPLIANCE 的書 第三章裡有教到 本體電容 方面的算法...你可以參考看看囉！ 大小值可以自己去決定啦！不是一定大就好！

我想请教一下大虾们:我用的是TI的平台,在电池连接器旁边的旦电容值是40uF的,我们工程师告诉说必须要大于或等于40uF,也可以用4个10uF并起来用,不知道没什么一定要40uF?一个40uF的和4个10uF的效果是一样的吗?

此电容对功放的线性有很大的影响，以CDMA PA为例，如果没有这电容，ACPR 要坏几个dB.此电容值通常uF级，因为要对低频滤波，象CDMA，邻道间隔(offset frequency)<1MHz，此电容阻抗要对1MHz足够小。其他modulation，同样有一样的考虑。耐压要同时满足电源加RF电压(voltage swing).

这个大电容是储能电容(bulk capacitor), 不是高频电容，理论上是越大PA电源纹波就会越小。GSM PA 用几十uF就够了。耐压高于电池的电压加些余量，6V or 10V就行。
这个电容体积大，一般不放在射频屏蔽罩里。放在电池接触点附近。

我想坦电容这里主要还是对电源的干扰起到隔离保护的作用，一般要综合考虑， 除了滤去电源本身的杂波，还要考虑PA有没有和别的器件共用电源，我想一般没有吧，呵呵，要考虑ESR，保证能够消除PA本身对别的部分的影响，最好多并联一些别的电容，这些都是可以大致算出来的。

现在一般新的PA，靠近电源脚放一个10UF的电源就可以兼顾TX杂散的性能了，不过靠近电源连接器还是需要22UF左右的旦电容，是防止bb或其他电路的电流回灌。

应该是一样的,1颗lay板子方便点点,啊哈哈

the functions of the tan caps mainly is smoothing caps(reduce peak current variations) and bulk decoupling ,for smoothing peak ,the value is decide by the ratio of ramp(or raise time)--we use 330uF; for bulk decoupling, the value is decided by the spur on the mainboard.commonly the power is connected to PA through a RFC or bead

Hi, fox_ring,
It's quit common to use RF Cap on PA power line, but I am always hesitated to use bead considering the very high peak current from PA and that could cause some power loss or even voltage drop on it. Do you have some experences to share by using bead ? (what kind of ?)
Thx.
An EMC guy.

IF YOUR SYSTEM IS TDD AND HIGH POWER, YOU SHOULD CONSIDER THE RC time constant, not allow the ripple generated in the power line.so the large the best.byt the module size limit the capacitor size. 100uf 6v

可不要误导人啊，应该是不一样的，esr经4个电容并联后会更小能得到更好的纹波，但是同样的ESL也会变小，谐振频率会变高，去除低频噪声的效果可能会变差，所以最好还是用一个钽电容比较好。本人也是刚入手机的菜鸟，不知道这样的理解是否对，希望也不要误导人哦

根据我的理解这个电容应该是滤掉PA产生的217Hz的电源纹波，使PA的供电电压保持稳定，同意EMCguy的储能电容说法，就像一个水库，呵呵。

DING, 怎么看不到图

这个 电容的大小与PA有一定的关系可以参考实际的推举值，主要的作用是保证发射的时候的电源稳定，否则输出的功率会变化，引起功率的振荡，当然ORFS的性能也会变差；但与实际的PA与电池连接器的的连线的长短和宽度都有关系（电源线的瞬态阻抗有关系），一般对GSM来说，如长度小于2CM ，对应RFMD和SKYWOKS的PA，采用10UF/10V的Tan电容，都没问题。

这个电容的大小要根据ESR,电池内阻,BAT trace的阻抗,空间,成本等综合决定.
在相同条件下,一般是越大越好,我们曾经做过实验,越大的Vbat上面的TDD noise有显著改善.
当然,旁边的一些高频bypass的电容是另当别论,他们的值一般由HBT的特性和寄生参数决定.

以前用的比較多,現在每家的IC的特性都是不錯的,如果不出什麼問題我們都不用了.節約成本啊！

有用大于10u的吗?我们PA用的滤波电容从来没有超过5u的。

4个10U要优于1个40U，ESR会变小

同意hwan67的说法

首先要弄明白电容的作用，不能一味的大，如果是滤波，关键是看滤除的频率，每个电容的频率特性不一样，用不好只会适得其反。当然ESR是肯定要看的了。

手机上的电容要用10v以上的，上回我们用6。3v的，电压高一点就爆了！

那你可以考虑使用polymer钽电，这种是不会爆浆的，而且去除纹波的效果会更好。一般使用较多的6.3V/22uF的就可以。当然从去纹波的角度来看，容量越大越好。

学习了！@我们以前做的网卡都有2到3颗很大的坦电容呢

我们一般选33UF的,但由于后面电容体积太大容易与PA屏蔽架短路就改成了10UF的,经过验证,一切性能良好！现在量产很久的时间,都正常！

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我觉得还是要分清楚了，大的电容主要是为了抑制瞬间的电源产生类似TDD波形的波动。至于其他的滤除spurious的主要是通过旁边的小一点的电容。说白了大电容就是一个大的水库，小电容就是沟沟渠渠。

很长知识啊，谢谢~~！

根据不同PA来决定
效率上 GaAs>GaSi>CMOS
由此,以上基底材料的PA其电容选择由小到大(或可15uF, 22uF,47uF)
同样衬底的流控线性度比压控好,也可以适当减小其电容

学习了～！

容值的大小并不是越大越好，越大成本越高。
应该根据实际的效果，做出选择。

我用的PA是RF3196MS 电容并得是33UF的。