I+,和I-；Q+和Q-间加电容起什么作用

阻抗匹配

能不能具体讲讲?
我认为应该是平衡或者隔离.请教牛人

The factor for BB interface should be considerated as bellow:
the ADC clk leakage problem,
the balance between RF IQ impedence and BB ADC input impendence;
the decupling for GSM and DCS freq in the trace loop between BB and RF;
the common noise from BB should be add the resistor for that.

这里是66.7kHz 信号，电容起到消除差模干扰的作用。

........平衡或者隔离
........he balance between RF IQ impedence and BB ADC input impendence;
the decupling for GSM and DCS freq in the trace loop between BB and RF;
.......消除差模干扰
.................................................................

请问5楼，mtk平台的I、Q信号好像不是66.7KHZ吧，我看MT6225的datasheet好像是26MHZ吧

过去的接法是IQ线上各接一电容到地，主要作用是RF和BB间的去耦，抑制IQ线上的高频噪声。随着芯片性能的改善，后简化成为一对I线和一对Q线之间接一个电容，主要是抑制线上的高频共模噪声。实际使用中，电容并非是必须的，可以根据实际情况确定是否要加此电容及具体的容值。

貌似成熟点的平台上加不加都差不多.

消除差模干扰

怎么会是消除差模干扰，不是消除共模信号吗? 差模不是有用的信号吗

学习

建议问这种问题前先查查 datasheet . 只要加在这地方电容的平台,都有明确的解释.

你的我不大理解。
IQ是低频信号，你指的高频是指多高?
如果只是大于50MHz, 这个并容的C得多大呀。这么大的电容，ADC阻抗并上这么大的电容，tuner 的IQ 输出负载load肯定吃不消，会衰减很多。
如果大于900MHz的高频噪声，好，手机的通信速率我就算它1MHz/s,所以ADC的采样速度最小2MHz, 算4MHz好了，采出来的数据再来低通滤波，所以这个高频噪声根本就不起作用不care的。
所以去高频噪声这个观点我不大支持。

kankan