请教hfss中的吸收边界条件
05-08
请问在hfss中的吸收边界条件有perfectH,perfectE,PML等等,
他们都在什么情况下应用?
本人刚学微波,有很多的知识不懂,别见笑!
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他们都在什么情况下应用?
本人刚学微波,有很多的知识不懂,别见笑!
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@_@
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多谢了,现在有点明白了
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所谓的边界条件在电磁计算中实际上就是一个面上的微分方程,
perfectE当然用得最多,金属表面一般都可以按照理想电壁来处理,这个微分方程就是切
向电场为零,有些对称面上如果电场没有切向分量,也可以用PEC来简化
perfectH一般都是些虚拟的表面,比如接地板上的缝隙,微分方程当然就是切向磁场为零
或者法向电场为零,有些对称面也可以用PMC
吸收边界条件是用来模拟自由空间中没有反射的虚拟面,它的微分方程有1阶2阶,HFSS中
的radiation边界用的好象是2阶(在help中可以查到这个方程),这个微分方程在入射角度
大的时候反射也比较大,不很准确,所以一般定义的虚拟辐射边界要在远程区,使打在虚
拟边界上的入射波角度不至于太大
PML是另一种吸收边界条件,用的是实际上并不存在的多层虚拟媒质,可以吸收入射波,其
最外层也是PEC。这种边界比吸收边界条件要精确
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