请教关于寄生电容的计算？
有些书上介绍通过C=εS/d的方式估算，但是有时候器件内部结构复杂，有很多不同位置不同方向的寄生电容，那么这些电容应该如何处理呢？是简单加合？还是要根据位置进行串并联计算？
━━━┳━直流电阻━━电感(感性器件)━┳━━
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┗━━━━寄生电容━━━━━━━┛
这个是一个高频电感的等效电路，里面这个寄生电容跨接在器件两端，它和器件内部不同位置计算得到的寄生电容之间应该如何处理？
寄生电容的情况很复杂
当电容正对面积很小时
考虑到强烈的边缘效应
C=εS/d这个公式最好不要直接用，误差会很大
不同的情况有不同的估算方式
感觉挺复杂的样子,
但似乎器件设计应该有成熟的模型了吧? 自己估算可行否?
毕竟在高频模拟或者射频上, 要考虑的东西比较多.
BW, 你考虑的是什么器件的模型?
有没有介绍寄生电容估算方面的资料呢？
是比较复杂，我做滤波器的设计，寄生电容在射频以上影响很大，不能不考虑。
我数值模拟方面，是否可以模拟出寄生电容的数值呢？
对寄生电容只有一个模糊的概念，不是很理解。
是指的器件内的导体和大地之间的电容吗？还是指器件内部不同部分的导体之间的电容？
对于电感来说，里面导体都是连通的，为什么会产生电容呢？
寄生电容的作用是什么呢？储存了电能？
对于寄生电容我的理解是这样：
现实中没有纯正的电感，也没有纯正的电容
尤其是象射频甚至更频率的情况下
容性很感性之间会发生转换
为了描述这种转换，等效模型中需要加入寄生电容或者电感
至于寄生电容的估算情况太复杂了
只能具体问题具体分析
寄生电容是不是储存电能？如果我能得到整个器件里储存的电能，是否可以估算出来？
另外，器件中的储能，是否可以分成磁储能和电储能两部分？
ads里做仿真，使等效电路的s-parameter尽可能趋近于测量或是器件仿真得到的s-parameter。直接求的话，好像比较难
可以直接把测试参数存下来放在ads中调用
这样可以把寄生的电感电容都考虑到
从理论上去分析感觉很困难
基本是不可能的，情况太复杂
.198
我在用ANSYS算，ADS还不是很懂，需要学。
请问这个电容是不是有储存电能的作用？
估算能量？这比算电感电容可能更难呀
哦，我主要通过数值模拟，用ANSYS可以相对容易地获得一些整体的量，比如说能量。所以从这个角度也不失为一种途径。
这么费劲还不如直接用ads去仿真呢
反正你这可能也要不到高级的功能，一些初级功能很容易掌握的
比你这钟思路简便一些
ads是2.5维的吧？
如果设计的结构复杂一些ADS里还方便建模吗？
对ADS只有概念上的理解，确实很想用，苦于没有好的上手资料。
建议采用数值计算方法，我算过MEMS电容，很有效。
能简单的说一下吗？数值计算的方法是个什么思路呢？
那是直流吧.寄生参数一般都是有频率特性的.寄生电容在高频会造成leakage
用Ansys应该可以计算出来
你没有电容的模型，怎么用数值计算方法； 没有模型，只能用电磁场的方式来仿真，在ADS里面可以用momentum。
你需要学习一些基本的电路理论。 在射频下，电容等效为短路。 比如mos管的drain和substrate有很大的寄生电容，那么很大部分的能量就会流到地，降低电路的性能。 这是用CMOS设计RFIC的一个drawback。
那对于一个简单的电感器件来说，它的寄生电容也会把很多能量流到地吗？
也就是说电感在射频下工作的时候，除了内部储存的磁能，发热消耗的热能以外，还有一部分能量损失掉了？
I found this on the web for you:
http://www.ee.ualberta.ca/~igor/EE671Tp2Lec2.pdf
谢谢先，不过多问一句，器件在谐振频率附近电阻急剧升高，其原因何在呢？
如果是平面电感
可以用IE3D算
然后在MODUA里面有RLC矩阵提取的功能
就可以得到结果了
不光如此
管子的内反馈也是寄生电容造成的
本科的电路原理应该学过吧? 可以去参考一下RLC并联阻抗的频率特性
频率特性考查过，正因为和频率特性不相符合才觉得怪异，就是想知道，是不是到了射频阶段还需要考虑别的什么因素。
想知道寄生电容的值是个定值还是跟频率有关的函数？
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