微带天线用什么封装好？

12-07

用什么材料封装对天线的性能影响最小，最好没影响。：）
最近小弟做了几种材料封装，实验效果都不理想，要测的信号很小（毫伏级）
希望诸位大侠不吝赐教，感激不尽！
呵呵～～ 202.112.11.199

可以这么说，薄的天线介质损耗大。
我看见国外天线的介质厚度往往1cm以上。
要是1.6mm的板材，好像天线效率往往降到60%以下了。
166.111.67.2

是的，微带天线损耗主要来自表面波，
介质越厚，介电常数越大，表面波损耗越大/ 61.149.3.46

没错，可以参看任何一本微带天线的书。
增大介质厚度，或减小介质介电常数，都可以提高效率。
这主要是由于改变了天线辐射的品质因素。
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你这么说就没法讨论了.嘿嘿,基本概念大家都知道可是用得对不对
就不好说了。
推荐一本书。
ftp://202.119.24.31/incoming/Document/微带天线设计手册
。
你说的表面波问题。在第一章有论述。你的小结论是对的，表面波
损耗随着介质厚度增加而增加。但是这种损耗属于次要因素。
总结论还是介质厚的损耗小。
不用讨论了。这个东西我都看了10几篇paper了。1979年以前的结论，
现在没必要争。
166.111.67.2

你这么说，看来真有讨论的必要了，
你请你说微带天线的损耗主要来自什么？
介质损耗？导体损耗？
另外，微带天线是在80年代后发展起来了，
十几篇文献实际还不是够的。w
修改:yixr 61.149.3.46
61.149.3.46

对于这个问题，现在二位都有一定的道理，
对于微带天线，但是结论肯定是只有一个的。
请二位继续落实上面的讨论，最好能用几个公式把问题说明白。
表面波的损耗是介质越厚介电常数越大损耗越大，
但是辐射场的能量很大一部分是在空气中，在介质之外，
到底比例是多少，谁是主要的成分。有必要量化研究。
请二位把公式摆出来，以正视听啊。
修改:lacat 166.111.66.187
166.111.66.187

微带天线的概念是1953 年，Deschamps提出的
70年代初 Howell, Munson制造出了第一根实际的微带天线
公式太长,而且要解释的变量太多。本来不想贴：
最简的矩形微带天线：
Eff=Rr/(Rr+Rc+Rd)
Rr 辐射电阻。
Rc 铜损耗等效阻抗
Rd 介质损耗等效阻抗
Rr=120λ0/(1-(K0*h)^2/24)
Rc=0.00027*f^0.5*L/W*Qr^2
Rd=30*tanδ*h*λ*Qr^2/(εr*L*W)
可以看见关键是Qr了。
它反映的是谐振储能与辐射的功率比 = c*ε^0.5/(4*fr*h)
h变大 Rr 变大 Rc 变小 Rd 变小。所以辐射效率变大。
所有公式来自于图书微带天线（microsrip antennas） I.J鲍尔 P.布哈蒂亚
电子工业出版社
清华大学图书馆可以借到
此书 54页可以看见基片厚度与效率的关系图
由于这些分析方法往往是对微带天线边沿的场分析得出的。所以损耗在哪里，也说得不
清不楚。但是可以看出h较小时，由于电容较大，很多能量会集中于微带线间无法发射出
去，最终转换为热能。
修改:riverxiang 166.111.67.2
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我估计你会拿出这些公式的，下班了，多写点吧。
你给的是不考虑表面波的公式，当然
从这样的公式里看不出表面波的作用了。
我的基本概念来自80年代 D.M Pozar：
1/Q=1/Qrad+1/Qsw+1/Qdi+1/Qcu
Qdi=1/介质损耗正切
Qcu=t/Ds Ds趋肤深度
天线效率=Q/Qrad
Qsw 复杂点，我写不清楚:P。但是，据我了解
考虑TMo和TE1模式就足够了。
在TM0表面波的作用下，天线效率在h<0.1波长，
是随着高度变低。在0.1到0.2波长由于辐射效率
提高比表面波恶化快，所以效率随着高度变大，
大于0.2波长，TE1表面作用开始激励起来，
又会重复上述变化
我写不出解析公式，因为这些都是数值计算的结果。
我原来说问题的出发点，是为了说明不能只靠增加厚
度来提高天线效率，要兼顾表面波这一看法。
介质损耗和导体的欧姆损耗，都和材料有关，可以改善，
但表面波，主要介电常数和厚度有关，不好改善
（要减少的用ebg了）。
点到为止了，至于介质损耗只能由时间在说了，欢迎交流。 61.149.3.46

40cm*5cm
微带4mm
两极间是介电常数2.55 厚1.6mm 的普通环氧板
我现在想找一种材料做盒子
但不想影响天线的性能
大侠有什么建议？
谢谢
：） 202.112.11.199

FR-4的介电常数一般是4-4.4
这么低的频率用工程塑料就可了，
好点的用玻璃钢。
61.149.7.95

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