HFSS仿真微带线如何看特性阻抗?
看下你的端口面。
小编留言:
端口面在2L
不对 ,直接把空气腔的一整面作为端口
小编留言:
您的意思是说应该把空气腔整面当作端口?
想看微带线的特性阻抗必须用波端口,你用波端口了吗?另外就算你用的集总端口,从这图片看来也不对,估计即集总端口都设置错了
小编留言:
3q
端口太小,端口不归一化
小编留言:
都什么时候端口归一化呢?
端口太小了
用集中端口,然后打TDR看阻抗即可
Lump mode是解电压、电流,而Wave port是解"模态"(mode)
从以上描述不难理解,若Wave port所在的平面空间不够大,将导致传输线周围的电力线与磁力线涵盖不够,所以整个模拟值会偏差较大。
以线宽W=6mils、线距S=3W=18mils、线长2000mils的 传输线为例,堆栈结构则是线铜厚1.4mils,讯号线放在高度58mils的substrate上(Microstrip),介电系数4.25,有reference plane.
[attachment=71205]
1. 把wave port建在boundary face of free space上,且这wave port平面贴着传输线,如下图所示,模拟出来的特性阻抗大约136.7138.5 ohm,与Polar的特性阻抗试算结果完全吻合。
[attachment=71207]
此处背景空间(free space)的大小,会影响到模拟出来的特性阻抗值
2. Wave port建在PCB substrate的侧边YZ平面上,且这平面贴着free space,如下图所示,模拟出来的特性阻抗随着频率大幅变化。因为这样的wave port没有考虑传输线上方空间的电磁场效应,所以模拟结果是错的
[attachment=71208]
3. Wave port建在PCB substrate的侧边YZ平面上,且这平面不贴着free space。这样模拟是跑不出来的,因为除了没有考虑传输线上方空间的电磁效应,在free space boundary与substrate上的wave port之间的空间,没有电磁场的information
[attachment=71209]
4. 在PCB substrate的侧边YZ平面上,另建一个"矩形平面",贴着传输线而不贴着free space boundary,在这新建的平面上下wave port,模拟结果是错的
[attachment=71206]
5. 在PCB substrate的侧边YZ平面上,另建一个矩形平面,贴着传输线 与free space boundary,在这新建的平面上下wave port,模拟出来的特性阻抗大约137.8139.1 ohm,与Polar的特性阻抗试算结果完全吻合。
6. 在PCB substrate的侧边YZ平面上,另建一个矩形平面,贴着传输线 与free space boundary,但这free space只包上半平面,在这新建的平面上下wave port,模拟出来的特性阻抗大约131.8133 ohm,略小于Polar的特性阻抗试算结果。
以Wave port输入时,要注意sheet edge of port的boundary condition默认为Perfect-E,要注意这会影响到整个仿真系统的"模态数目"计算。[number of mode]=独立的导体net数目#n-1
从以上六个wave port的例子,归纳以下两点结论:
* Wave port所在的平面,要直接贴着free space boundary
* Wave port平面的大小,不能太小,最少符合以下rule
小编留言:
学习到了,3q
学习到了好东西
尝试用一下TDRZ
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