平面波和excitation signal之间的区别和联系

我在仿真一个腔体的屏蔽效能时，干扰源设置为平面波，在腔体内部添加一个监测点。在excitation signal中，可以选择不同的激励源信号，并且还可以自定义激励源信号。设置不同的激励源信号则会在监测点处得到不同的电场值。我想问的是：
平面波和excitation signal对于干扰源的描述有什么不同?为什么选择不同的excitation signal会导致不同的电场值?
谢谢大家的解答

     不懂，来学习。

平面波表征的是电磁波的传播特性，具体的电场和磁场值还得由具体的激励信号源决定，选择不同的激励信号电场值肯定不同。在仿真屏蔽效能时，选择默认的高斯脉冲，采用TLM算法。这种情况新，TLM算法会默认你仿真的频段内所有的频率的电场幅值是1，最后仿真得到监测点的电场幅值后直接取倒数再取db就可以得到屏蔽效能，因为不加屏蔽的话监测点的电场幅值应该是1。当激励信号不采用高斯脉冲时，由于不加屏蔽时监测点的电场幅值不一定为1，因此不能直接对结果直接取倒数，这是可以先将屏蔽箱体设置为空气，仿真得到屏蔽前的监测点电场幅值；在改变屏蔽体的材料属性仿真得到屏蔽后的监测点电场幅值，最后两个结果取db做差就可以得到屏蔽效能了。
我是这么理解的，可能有错误。仅供参考

我也是这么理解的
现在遇到另一个问题，我设置一个200×200×200的真空正方体。平面波设置幅值为1，边界采取open边界，在平面波入射的地方也就是真空边界处设置观测点，并在真空正方体中心也设置观测点。结果显示，真空边界处观测点处电场值大约是0.85，这个为什么不是1?真空正方体中心处的观测点的电场值大约是0.65，为什么也不是1而且还衰减那么严重?

我也是这么理解的
现在遇到另一个问题，我设置一个200×200×200的真空正方体。平面波设置幅值为1，边界采取open边界，在平面波入射的地方也就是真空边界处设置观测点，并在真空正方体中心也设置观测点。结果显示，真空边界处观测点处电场值大约是0.85，这个为什么不是1?真空正方体中心处的观测点的电场值大约是0.65，为什么也不是1而且还衰减那么严重?求解答

我刚试了下确实有这个问题，这个我也不懂。实在不行就用第二个方法，先把屏蔽材料设置成空气求屏蔽前的电场值，在修改参数求屏蔽后的，再计算屏蔽效能。
我cst也是新手哈，仅供参考。