HFSS 馈电阻抗设计新发现·····
05-08
最近闲来无事把HFSS打开随便折腾会,发现个好玩的事情
微带天线,lumport馈电,馈点阻抗一般只设实部resistance:50欧姆,虚部reactance:0欧姆 仿真后vswr在2左右,但total gain比realize gain高3dB多。
然后,改变馈电阻抗,实部100欧姆,虚部为0,仿真后vswr稍有变化,变化很小,total gain不变,realize gain提高将近2dB why?
基本上,realize gain与馈电阻抗成正比
另外,如果改变虚部的话,比如 实部50欧姆,虚部-40欧姆,vswr稍有变化,realize gain也有明显提高
请教高手这个是怎么回则事?
微带天线,lumport馈电,馈点阻抗一般只设实部resistance:50欧姆,虚部reactance:0欧姆 仿真后vswr在2左右,但total gain比realize gain高3dB多。
然后,改变馈电阻抗,实部100欧姆,虚部为0,仿真后vswr稍有变化,变化很小,total gain不变,realize gain提高将近2dB why?
基本上,realize gain与馈电阻抗成正比
另外,如果改变虚部的话,比如 实部50欧姆,虚部-40欧姆,vswr稍有变化,realize gain也有明显提高
请教高手这个是怎么回则事?
期待解决#@@
你好,你可以翻看一下realized gain的定义先
realize gain 就是加入了一些端口损耗的增益,在totalgain不变的情况下,以往的经验是 realizegain 与VSWR有很直接的关系,但现在这个现象 例外了 所以不解 还请指教
你从50欧变到100欧后的驻波比变化会很小吗?假设你的端口对50欧阻抗完全匹配,这个时候VSWR等于1,但是对100欧VSWR是2,所以我对你说的驻波比变化很小表示怀疑。
嗯 对,你说的没错,但是我把后面的port renormalization 也改为100欧姆了,所以本来端口50欧姆的,port renormalization也是50欧姆,后面全改100了,对应归一化就是除100,所以VSWR变化不大,根据频段的,有些影响较大,有些较小
不错的,谢谢分享!
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