波导的S参数仿真

上个截图吧，这个好像是指衰减

其实我问这个问题就是想知道这个S参数中的S21指的就是波导的屏蔽效能吗?但我感觉应该不是，所以我做了如下仿真：建立一个矩形波导，然后在两端加入观测点，用这两个数作比取对数，即为波导的屏蔽效能，可是我通过理论算法做出的屏蔽效能却与CST仿真的结果不同?那我该怎么才能计算矩形波导的屏效呢?

我想仿真波导的屏蔽效能，主要监测电磁脉冲在波导末端的电场值来计算。
我的波导仿真模型如下图所示，激励源是冲击响应，然后我监测波导腔体内部的不同位置的电场值，我发现内部的电场值几乎相同个，没有变化；然后我改变腔体的长度，在检测相同位置的电场值，还是没有变化，这是怎么回事?按照波导原理，长度越长，屏蔽效能越高，可是为什么我改变长度之后，电场值几乎没有变化?难道说，这个电磁脉冲是无损耗全部传输到波导的一端?

S21就是屏效  用波导端口仿真

波导的屏效应该是正值吧，仿真的S21是负值，那么S21取反就是屏效?我通过CST仿真和理论算法计算分别得出了一种蜂窝波导的S21和屏效，如下图所示，CST仿真S21结果的理论计算结果的趋势是相同的，但是幅值上有正负之差，将S21是我结果加上230，两者的结果几乎相同，那么这个S21和屏蔽效能到底是如何对应的呢?但是如果将S21取反的话就是屏效，曲线的幅值范围是对的，这与理论计算的幅值范围几乎相同，但趋势是逐渐递减的，而理论计算的结果是递增的，这又不相符，那么这个S21和屏蔽效能到底是如何对应的呢?

我还是觉得用S21来表示有些牵强，你仿真的最终目标，是不是得到这样结构的屏蔽效能?

恩，是这样的结构，我也觉得S21有问题，那你觉得我该如何仿真这个结果的屏效?

屏蔽效能仿真，要和通风波导窗屏效测试配置尽量保持一致性。