C波段GaN HEMT单片式微波集成电路高功率放大器
05-08
:“这是首款可为卫星通信应用提供全新高性能的 GaN MMIC 产品,GaN HEMT 技术可实现出色的线性效率与功率增益。 GaN产品不但将对热管理技术产生巨大影响,还可使商用及军用卫星通信系统的尺寸更小、重量更轻。”
CMPA5585025F MMIC 采用多引脚陶瓷/金属封装 (1”x 0.38”) ,是一款 50 欧姆 (Ω) 、25瓦特峰值功率的双级 GaN HEMT 高功率放大器 (HPA) 。MMIC 的工作瞬时带宽为 5.8 GHz 至 8.4 GHz,提供 15瓦特线性功率(<-30 dBc 的相邻频道功率) 与 20 dB 功率增益。在该线性运行功率下,功率附加效率为 25%。
该器件采用小型封装,可减小晶体管尺寸与重量,降低热管理的成本,从而实现出色的线性效率(比传统解决方案高 60%)。此外,该器件运行时需要的工作电压(28伏特)大于 GaAs MESFET(12 伏特),因此晶体管还支持更低流耗,可降低功率分布损耗,实现更高的整体系统效率。
CMPA5585025F MMIC 采用多引脚陶瓷/金属封装 (1”x 0.38”) ,是一款 50 欧姆 (Ω) 、25瓦特峰值功率的双级 GaN HEMT 高功率放大器 (HPA) 。MMIC 的工作瞬时带宽为 5.8 GHz 至 8.4 GHz,提供 15瓦特线性功率(<-30 dBc 的相邻频道功率) 与 20 dB 功率增益。在该线性运行功率下,功率附加效率为 25%。
该器件采用小型封装,可减小晶体管尺寸与重量,降低热管理的成本,从而实现出色的线性效率(比传统解决方案高 60%)。此外,该器件运行时需要的工作电压(28伏特)大于 GaAs MESFET(12 伏特),因此晶体管还支持更低流耗,可降低功率分布损耗,实现更高的整体系统效率。
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