CST MWS仿真超材料的S11

仿真的单元结构如图所示。我希望模拟“微波照射到超材料结构上”的情形，并得到其S11。是不是port面上用的边界条件是open（add space），请问另外横向的四个面用什么样的边界条件?理想磁边界和电边界使用有什么样的讲究呢。
此外除了得到S11 的dB曲线之外，我还想得到S11的调制相位。因为port距离超结构材料有一定距离，在1D result里面的相位包含了行进中的相位，如何能够减去背景呢。
另外，port入射和平面波入射有什么区别，我如何能够做一个变角度入射的模拟，并且能够得到S11参数?因为貌似平面波入射（虽然可以调整入射角）不能得到S11参数。谢谢。

CST仿真FSS最好用频域求解器，四个面边界设置unit cell边界，另外两个是open add space 激励用floquet modes来做，我最近最近过跟小编一样的东西，有兴趣留下邮箱给我，发你我设计的文件。
如果用时域求解器，记得把边界条件设置成periodic，因为时域T不支持UC边界
如果想斜入射的话至于改变平面波设置中的传播矢量，记得设置好电场极化方向。
另小编的模型是带阻形式的，可以设置不同频率下的电场监视器，能很明显的看出透波特性。

你好，我是初学者，我也有类似的问题想咨询。
343487178@qq.com

电场 极化方向是在哪设置的

如果是UC边界条件，则需要使用边界自带的Zmin、Zmax端口，可以通过改变激励模式来设置。
如果使用平面波激励，则在定义平面波时即可以设置了

我是用的边界自带的Zmin、Zmax端口，可以详细说一下吗?

是在这里设置吗吗?谢谢

我也有同样的问题   382957915@qq.com