关于lumped port 的一个问题

麻烦懂得指教下：
仿真带有虚部的lumped port 时候，发现仿真得到的s11特别的小（-50db能达到），但是效率却很低（可以忽略），电流图也显示场没有从源耦合到辐射体。
这种情况一般会什么原因?望解答。
天线模型是贴片天线，是源贴片耦合到辐射贴片实现辐射。

我也不太懂。我只知道虚部代表能量的储存。如果虚部很大的话，即使反射很小效率也不会高的