《印制板上单线三米法辐射场的精确仿真》实践

[attachment=57711]按照教材的步骤演练了如题所示的例子，现将一些结果分享给大家。
【仿真模型】
在3000mil（长）×1500mil（宽）的GND平面上方6.2mil高度处，有一2000mil（长）×6mil（宽）的Trace，
考察该Trace处在参考平面GND不同位置时的3m场辐射结果，30M1G频段。
——Trace距离GND边缘3W
——Trace距离GND边缘100W

【材料设置】
GND 平面的设置

（1）走线处在参考平面边缘——距离参考平面边缘3倍线宽

（2）走线处在参考平面中心——距离参考平面边缘100W

【仿真结果】
-Trace处在参考平面边缘时的3m场RE结果

--Trace处在参考平面中心时的3m场RE结果

【结果对比】
（1）与处在参考平面中心相比，边缘走线在30M1G频段内会有更严重的辐射，差别达10dB
（2）辐射发射峰值频点，在边缘走线时较低，因此风险就越大。

That's all.

问下小编 你这个激励源是什么啊?谢谢！你这是按照哪本教材建的啊?

目测激励源应该是离散端口中的S-parameter

@hawk8969大师说的没错，就是离散端口的S 参数激励源。
教材是CST官方出版的丛书15，《CST电磁兼容算例汇编》，这个是算例4.
题目是《印制板上单线三米法辐射场的精确仿真》.

好，谢谢！

走线没有厚度?