HFSS仿真RFID天线S参数问题

用了lumped port，设置的resistance=11 reactance=143，然后设置的不归一化
但是最后得到的S11曲线和计算的不一样，这是什么原因?
计算公式如下：

s11= 20log|t|   t是上面公式计算出来的反射系数
然后HFSS算出来的S11曲线如下：

再下面是matlab计算出来的S11曲线如下：

matlab里的计算公式

在matlab里你试下这个公式 gama=(Za*/Zc)x(Zc-Za*)/(Zc+Za)  看看对不

我用你给的公式代替了反射系数的公式，不知道是不是这个意思
但结果好像还是不对，下面是改的图
我想问下在HFSS里面，S11参数的定义是怎样的

用hfss算得跟我自己算得一样
肯定是你公式算错了，再者你没有搞清楚概念
应该是（zc-za）/(zc+za)
hfss中这个是zc是输入阻抗，别跟共轭匹配的概念搞混了
你按照上面的公式算算，肯定跟hfss中算得一样

按照理解  
我是不是应该把（zc-za）/(zc+za)  代替反射系数的公式
但这样画出来的图还是不对啊

不是替代反射系数，这就是反射系数，是你没把概念搞清楚
实在不知道你公式怎么算的，看着乱七八糟的
（zc-za）/(zc+za) 取模，然后20lg
这要是算得不对，我就无语了

大牛确实厉害
好像取10log是比较接近的，如下图

但是我有个疑问，我看的好多文章里面反射系数的公式都是（zc-za*）/（zc+za），zc是芯片阻抗，za是天线阻抗
而按照HFSS这样算的话，相当于（zc*-za）/（zc*+za）
这为什么是这样的呢

S11跟功率反射系数不是一个概念的东西，现在基本都用功率反射系数，S11对RFID标签天线没意义

（zc-za）/(zc+za) 是S11的计算公式，反射系数（zc*-za）/(zc+za) ，两个公式都不一样你算出来结果当然不一样啦，一般算出来反射系数比S11要差不少

恐怕是你们没搞清楚概念吧
S11就是功率反射系数的取lg*10，也就是电压发射系数的模取lg*20
S11中Z是输入阻抗，也就是从端口看进去的天线的阻抗
所以在设置lump的时候要设置成芯片阻抗的共轭，这样才能传输更大的功率
公式中取共轭那是因为一般计算大家习惯用芯片的阻抗，所以才要取共轭
输入阻抗和阻抗的概念分清楚就不会对这个概念模糊了

明白了，这确实是两个不同的定义。以前混淆了
hfss采用的是（zc-za）/(zc+za)
为什么搞两个不同的定义，而且好像他们的平方都是功率反射系数

LZ,我刚好也碰到这个问题，给出我的观点给你参考
首先，你要计算的是KUROKAWA引入的Power wave reflection coefficient，为了区分，设这里的复反射系数为s=（图片中你给的公式），则Power wave reflection coefficient为|s|^2，取dB的话20*log(abs(s))。由上可知计算方法不同于我们常见的Gamma（即S11）=(ZL-ZS)/(ZL+ZS)；
另一个问题在于MATLAB默认LOG是LN，你需要用LOG10（）得到以10为底的对数，即dB；
建议你导出HFSS计算的天线阻抗根据理论公式来计算所需要的东西；
PS，自然对数求出来是Np，而非dB，1 Np=20*log(e)=8.686 dB。

学习一下,确实得把概念搞清楚

在UHF RFID天线设计中必须是共轭匹配，且需要用Power wave reflection coefficient计算匹配，不然做出来的天线是用不了的！共轭匹配结果直接影响标签芯片的接收功率及反射功率！这个匹配相当严格，能做到-3dB就已经不错了！普通S11参数只要虚部匹配就可以轻易达到-10dB，且天线带宽很宽，但如果实部不匹配，标签天线接收到的能量还是不能有效传递到标签芯片中，起不到S11的作用！

大家没发现一个问题吗?
LZ最初仿真S11性能太好了，0.81.4GHz，全频段都在-15dB以下。

共轭匹配有道理
那13.56M的天线也是要这样么?
没做过随便问下