CST TE波和TM波的边界条件怎么设置？

看样子你是要算metamaterial...其他的我就看不懂了，更别说回答了。

这个问题我是这样定义的：
首先讨论正入射情况下，波传播方向沿 z 轴， 这样的话定义的电磁波平面在XY面上，E和H总是正交的，那么反推一下就能得到E和H的方向。
设 E// x 轴，那么选 Ymin和Ymax的 Ht=0（y方向的切向磁场为零，亦即y的切向电场不为零）
                再选  Xmin和Xmax的 Et=0（x方向的切向电场为零，亦即x的切向电场不为零）
要弄清楚 y 方向的切向是 x 方向， x 方向的切向是 y 方向，就很容易明白了。
同理，E // y 轴，那么选 Xmin和Xmax的 Ht=0；Ymin和Ymax的 Et=0.
斜入射的话，把样品（结构）转一下角度就可以了。

楼上所说的就是在Floquet模还没有引入以前使用的波导模拟器。波导两个面是PEC，另两个面是PMC。一个模式仿真完成后再交换PEC和PMC，仿真另一个模式，激励使用波导端口。这种结构只能仿真正入射，不能仿真斜入射。因此小编的问题最好使用周期边界条件和Floquet模。

能不能用周期边界还要看具体想仿真什么东西

是滴呵呵

我的理解也是这样的，补充下Zmin和Zmax设置open
斜入射我不认为那样可以解决，因为转样品的同时，波导激励端口也跟着转了，所以还是正入射。不过我也不会模拟斜入射。有朋友知道可以讨论一下。
至于周期性边界条件，我从没有设置过，因为设置了周期条件，那E和H的方向就没法设置了，所以我通常手动复制10X10个单元来仿周期问题。

如果是仿真无限大的周期平面是可以使用unit cell边界的，并可以在设置边界条件的时候设置入射方向

unit cell边界只能使用频域算法哦

这样一来斜入射和周期边界的问题确实解决了，但入射波的偏振态就没法设置了啊?

偏振可以是用模式设置，这样设置了之后默认有18个模式。

的确是的！昨晚这样算了一下，频域求解这18个模式，计算量一下变的巨大，看来只求解我想要的模式就行了，多谢指点！

恩，我还没用过斜入射，所以……可能问题不是那么简单吧，呵呵。
我现在还在入门中……

怎么设置入射波的极化方向呢?入射波的极化方向与入射波的入射角有关系吗?我做是也是周期阵列。希望好心人给予回答。在先等待谢谢

你那上面是不是写错了?（y方向的切向磁场为零，亦即y的切向电场不为零）?这是什么意思?到底是为零还是不为零?

要研究什么问题具体点

那你知道入射平面波的偏振状态怎么设置吗?我觉得这个边界调节的设置计算量特别大

应该是可以在求解的时候设置偏振态的，不过我有时候做出来的结果和文献中不太一样

要观察端口的模式的，可以先计算一下端口的模式，看看哪个模式是你想要的

unit cell的边界条件可以用电边界和磁边界来代替吗