CST中E-Scatter求解?
05-08
模擬環境的source是一個平面波,
想請問如何求得空間中某點的E-scatter(散射場值)?
就我知道probe算出來的E是總場,(有想過用 E總場-E入射 可求得),
想問是否有更好的方法可以直接得到.不必再額外自己做計算求得,
若是利用RCS,但有點不太清楚的是RCS是指散射場還是總場的部份?
有勞各位幫忙,謝謝^^!
想請問如何求得空間中某點的E-scatter(散射場值)?
就我知道probe算出來的E是總場,(有想過用 E總場-E入射 可求得),
想問是否有更好的方法可以直接得到.不必再額外自己做計算求得,
若是利用RCS,但有點不太清楚的是RCS是指散射場還是總場的部份?
有勞各位幫忙,謝謝^^!
RCS求的当然是散射场和总场能量的比值,但是E场是总场不是散射场这个需要注意,想得到任一点的散射场用总场减去入射方向上的入射场就可以了,貌似不是很麻烦吧……
謝謝小编的教導^^!
我知道怎麼做了
3Q
hao dong xi xiexi el
rcs是散射场和入射场能量的比值。不是跟总场的比值。
謝謝!是P-scatter / P-incident,在CST教學手冊有看到說明.
有一點想請教一下,我用Probe(有限距離)測得出來的電場.發現並非是總場而是散射/入射的比值.
我是由Probe的RCS&E(farfield)這兩種跑出來得值(曲線圖)來做比較.
再由RCS的公式推導出來發現竟是比值(E-scatter / E-incident).
感到非常的納悶,到底Probe(E-farfield)測得出來的值是E總場還是E 散射/入射的比值?
Probe测的是总场,rcs是散射场能量和入射场能量的比值
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