请问用ADS2011仿真CPWG结构的特征阻抗，T的影响？

初次接触电磁仿真，看了一些基本理论，最近在学习ADS2011，在layout中cond层画出CPWG的结构，在substrate中，cond设置在strip plane，operation为sheet，material为perfect conductor（不考虑电阻率对Z0的影响），发现改变thickness数值，对仿真出的Z0没有影响，这个让我很疑惑。理论分析，金属层厚度变化对传输线之间的电容产生影响，从而对特征阻抗产生影响，可是在仿真中完全没有表达出来。
在EMsetup中，我选用的simulator是momentum microwave，难道要选用FEM才能识别出厚度变化带来的影响?当然在FEM中，cond就不能定义为sheet，而是intrude into substrate或是expend the substrate，关键用FEM仿真要设置options中的substrate，这个让我完全搞不懂，不知定义多大的数值合适。求助高手们，有什么建议来解决我的困扰啊?
我不想用linecalc来计算Z0，因为sub是很多层，每层介电常数都不同，觉得用它来计算可能误差大一些。
吐槽一下，ADS2011中port的定义，type种类大大缩水，可能是我刚接触，没有找到正确的入口去定义它。在CPWCPL2这种结构中，都不知道该怎样定义差分端口了。两边地线作了via都不给力，感觉完全没有用啊。
高手们啊，help。

为什么没有人回答呢?help。

今天再看我提的问题，觉得弱爆了。还是用FEM仿真，mesh好好调调，substrate的outline设置的大小差不多就行，不过我设置的是lateral是0，boundary是电壁，port面定义小于两边的地线的边界就行了。
这问题太弱了，高手都懒得回答了，只好变成自问自答了。