关于反向散射调制电路的仿真

用Term1 端口模拟天线的50Ω输入阻抗，用Term2模拟50Ω的微带线，它们之间插入一个远远大于50Ω的电阻和FET（ATF21170），通过改变FET的栅极电压来实现阻抗的变换，当栅极电压≤0时，FET导通使得天线的端口短路，根据S11=20lg|(Z天线-Z)/(Z天线+Z)| ，天线阻抗为0 此时S11=0dB 实现全反射，当栅极电压大于0，FET截止，Z天线约等于Z，（Z=50//4.7K）此时全吸收。
可是改变栅极电压时，S11参数没有变化，不知道该怎么设置仿真环境呢?

FET模型用错了，你用的sp_xxx这种是在特定电压下测出来的s参数，不需要外部电路来供给直流，你改电压不会对它有效果
如你图上显示，你这个模型是在Vds=3V Id=20mA时测定的