微带天线微带馈电的端口问题

一般是lumpedport
端口宽度和微带线宽度一致或更小，我觉得应该是越小越准确，因为最终馈线是和同轴内芯连接，相当于这个连接点和地之间加激励（虽然理论上微带传输线沿宽度方向电压是不变的，但在传输线的不连续点上电压是有变化的，在HFSS仿真中看表面电流分布能看出来）

但我看有的帖子说，端口宽带要是微带线宽度的十倍，高度是介质板高度的6到10倍，这样对吗?

微带馈电的端口宽度和微带线宽度没有太大关系，我试过，对仿真结果没有明显的影响。我一般设置成一致。但高度一定要与介质板的一样，要与接地板接触，不然仿真结果是错误的。在辐射边界内部用lumpedport ，与辐射边界共面用waveport。

小编说的那个是用waveport馈点，跟用lumpedport馈点是不一样的。waveport算的要比lumpedport要准一些，建议能用waveport的地方尽量用waveport。

我仿真过程中一直是，端口比馈线宽一倍，底面跟接地板同样高，上面高出介质板1-2倍，效果很好！

关于在HFSS中设置lumped port尺寸的问题，我做过一些研究，也做过一些仿真，现在与大家分享。
  首先，大家都知道微带线，中传输的只能是quasi－TEM mode（because：只有充填均匀煤质的传输线才可以传输TEM mode），儿微带这种结构，是由空气和介质两种不同er的媒质构成，所以只能传输此模和高次模。
  其次，在x－band以下，基片厚度<<lambda情况下，能量大部分集中在导体带下面的substrate中，此时为quasi－TEM。
  最后，端口设置问题，lumped port 的宽度w，影响端口阻抗和传输模式，w越宽则高次模越容易传播，而当substrate的er越高时，怎端口高度H，可以设置的越小，因为这是空气中的场越少！按照我哦仿真的经验来讲，H>4h;W分别取>=5w,具体的依据天线设计频率而定。另外，在x波段以下，当端口宽度W取w（the width of microstrip line），端口高度取substrate厚度h时，仿真结果不会有太大偏差，此时天线的谐振频率会比取5w时，略有几十Mhz的降低偏差（在宽带与超宽带问题中，此类偏差忽略不计）。
恳请大家指正，讨论，谢谢，以上是本人的一些仿真心得，希望有用！

设微带线宽为W,介质基片高为H;波端口的高设置为6---10H;当W大于或等于H时,波端口宽就设置为10W,当W小于H时,波端口宽度设置为5W或者3H到4H这个数量上

我觉得也可以把接头放到模型里一起仿真，和测试结果和接近的