关于用ADS仿真混频器的几个问题
05-08
用ADS仿真混频器时遇到以下几个问题:
1.用肖特基二极管做混频器时,二极管的输入端往往要做阻抗匹配,请问要匹配的频率是本振的频率还是小信号的频率,还是本振和小信号的频率都要匹配呢?为什么?
2.二极管如何建模?ADS中二极管的模型参数众多,哪些参数是必须要的?各厂商的Datasheet给出的参数不相同,很多厂商给出的参数与ADS二极管模型参数不符(如模型参数需要Is,而英飞凌的却只给出IF),问是否有公式可以实现参数的转化?
3.元件库中三极管ap开头的模型是用来做什么的?
以上几个问题也有人问过,但是我还是不太理解,请知道的兄弟们帮忙解答一下,谢谢!
1.用肖特基二极管做混频器时,二极管的输入端往往要做阻抗匹配,请问要匹配的频率是本振的频率还是小信号的频率,还是本振和小信号的频率都要匹配呢?为什么?
2.二极管如何建模?ADS中二极管的模型参数众多,哪些参数是必须要的?各厂商的Datasheet给出的参数不相同,很多厂商给出的参数与ADS二极管模型参数不符(如模型参数需要Is,而英飞凌的却只给出IF),问是否有公式可以实现参数的转化?
3.元件库中三极管ap开头的模型是用来做什么的?
以上几个问题也有人问过,但是我还是不太理解,请知道的兄弟们帮忙解答一下,谢谢!
本振频率和小信号的频率相差一般得不远,关系不大;至于二极管的参数问题就是老问题了,有些厂商和agilent合作的好,他们的产品就会和ADS中的模型结合起来,有些厂商的datasheet中的参数就和ADs中模型的参数相差很远,希望能有更有实力的高手来解决这个问题
那如果频率差很多呢?这种情况该怎么匹配?
我也是刚刚开始学着做混频,确实好多都不明白啊。
一般器件手册上会给出二极管的等效LCR模型,用这个模型做RF和LO的匹配,中频的匹配在教科书上都没提到,似乎不用考虑
如果是FET的匹配是否也是根据器件手册上的等效模型呢?
设计谐波混频器时,LO和RF频率差距很大,怎么匹配呢?谢谢小编了!
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