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请问一下:如何通过S参数反映插入损耗?

05-08
请问一下:如何通过S参数反映插入损耗?我做的RF MEMS开关的插入损耗要求是损耗小于0.5dB,但我的结果大很多。而且S12达到了-100多dB,请问是什么原因,是建模的问题吗?
谢谢!

如果我没有弄错的话,插入损耗Li=10log((abs((1-S22*终端反射系数)/S21))^2)
你计算一下,再看看吧。
欢迎你继续在论坛里讨论。

其实一般插损直接在结果里看s21,s21是1口到2口,s12是2口到1口,你看你的东西是不是互易的,要不是则s21不等于s12。另外看看有没有设置空气框之类的东西

我做的RF MEMS开关的插入损耗要求是损耗小于0.5dB
我做的建模是外边有空气盒子的,我的是对称结构,您是说我直接看S21就可以了吗?也就是说我要达到的结果是S21<0.5dB,是吗?

插入损耗是有一个公式可以计算的,你上网收索一下就应该知道。
其实也是可以用S21参数间接体现的,因为如果互易,插入损耗就只跟S21参数有关了
好像就是Li=-20×log(abs(S21)),你再式一下嘛

我做过波导的插入损耗仿真,S12就是插入损耗值,而且与理论值非常吻合,只是差了个负号,对于其他环境不知适不适用。

所谓插入损耗,就是指你这个器件插入一个系统后给这个系统带来的附加损耗。对于而端口器件来说,S11、S22表示端口反射,S12、S21表示端口增益或者电压传递系数。对于无源有损耗的器件,S12或者S21通常小于1。因此,对于互易二端口网络器件,其插入损耗便为-20log(|S12|)

同意6喽的说法,在无源器件构成的阻抗匹配网络中,一般都是互易网络,即它的S12和S21相等。
晕死,竟然是07年的帖子,我来挖了回坟

也就是说插损和S21如果是无源器件的话就是差了个负号是不是啊

IL=-S21吧 IL定义为为1端口输入2端口输出的损耗的时候

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