晶体管封装模型仿真的疑问

RT
向大家求助！
我将自己的问题简单描述下：用晶体管的design kits和偏置网络已得到想要的静态工作点，问题出现了，我用design kits加偏置网络代替晶体管s2p模型的时候（整个电路已有输入输出匹配网络），再进行直流仿真，这时晶体管的静态工作点也是正确的，但是仿真后的数据却比s2p模型差很多...(比如说增益、输入输出驻波比、反射系数等都差太远了，郁闷...)
请问这个问题怎么解决啊?
谢谢各位先

偏置没做好，或匹配没做好，或还需要进行相应的参数优化！