做E类功放仿真遇到难题

如看不清电路图，请双击就可以了

小编的波形貌似已经经过输出低通滤波所以输出的是sin波。建议小编把MOS管D极的电压波形也贴出来，如果你的设计准确该波形应该是类似半sin波(也就是CLASS E 的典型波形)。最好把PAE的结果也贴出来，如果PAE峰值很好(>70%)那么设计基本是正确的。还有请问小编用的是那个MOS管?

我用的不是MOSFET管子，是SiC的MESFET CRF24060，不过应该差不多的。PAE峰值为87.995%，但那是用PAE控件得到的值，用方程得到的正好是它的相反数，请问这是什么原因啊?
漏端电压和电流波形如图所示

图片上传不成功，再试试

再试试看，发个图真难啊

你看vout当然是正玄波了 因为过了 matching 之后 只有 first HB 附近的信号留下了。而你做的又是1 tone 所以时正选波。 要看传说中的class E 波形，你要看 Vd 和 Id

什么叫相反数?它的负值?用的公式是什么?PAE的峰值不错，是否已计入了外围电路的耗损等?
漏端电压&电流能不能贴出来让大家看看呀   ，PAE也是。
图的大小最好不要超过50k,否则好像贴不出来。

这是PAE和Vd、Id图，请各位大虾帮忙看下，我觉得问题出在DCdissip上，
我的DCdissip方程是DCdissip=real(Icc.i[0]*Vcc[0])
请问有问题吗?

Vd和Id又大了，分开发吧

另外，这是DCdissip的结果

小编的PAE怎样做到这么高的?      

据小编的以上的图片，PAE 是负值的原因是因为小编的漏端电流记的极性接结反了，把该电流(IProbe ICC)反接就行了。根据小编提供的以上图片等偶算了一下如果在RFPwr是27(W) (貌似RFPwr的单位是瓦特) 时输出电压(Vout)正弦波峰值是 47V左右 (即RMS值33V)那么小编的设计可以基本肯定是成功的，小编查看一下。

我知道什么原因，你的公式没有写对，我想要哪个器件的ads模型，仿真好给你传过去，liu8888ge@163.com

看看看；饿

那个管子的ADS模型你还有吗       邮箱kuiwenxu@gamil.com   谢谢

这种管子是AB类的  晕死