请教ADSer们关于ADS结合CMOS工艺仿真RF IC电路的问题

以前用ADS仿真CMOS电路时经常在Devices-MOS里的模型卡手动输入CMOS工艺的参数，但是这种方法的参数有限，不够全面而且手动输入非常麻烦，所以向用郭ADS仿真cmos ic高人们请教一下，你们是怎么把CMOS工艺导入到ADS里的?
最近看了一片关于用ADS来优化LNA的文章，人家用的是0.18um CMOS工艺，很郁闷，不知道人家是怎么弄的。

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虽然是老帖，但也是不知道。求答案！

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