GAN 经典技术文章汇总

技术文章一：高性能系统的氮化镓热分析

摘要：本论文讨论了Qorvo公司针对高性能微波GaN HEMT器件和MMIC采用的基于建模、实证测量（包括微区拉曼热成像）和有限元分析(FEA)的综合热设计方法，该方法极为有效，且经过实证检验。通过适当解决FEA的边界条件假设和红外显微镜的局限问题，无论在产品还是最终应用层面上，所得到的模型计算结果都比基于较低功率密度技术的传统方法的精度更高。

技术文章二：应用GaN技术克服无线基础设施容量挑战

摘要：在未来的三到五年中，对GaN功率放大器的需求有望快速增长，因为运营商将推动新型LTE能力建设，以适应移动数据用量大幅增加的需求。为了满足这一需求，越来越多的功率放大器供应商已经开始扩大产品范围，将GaN产品纳入其中。需要记住的是，无线基站中使用的功率放大器必须符合恶劣条件下的高性能、高效率、高可靠性要求。每一次网络扩容都会对性能和功效提出新的要求。必须进行谨慎评估，确保功率放大器供应商能提供必要的性能、可靠性、工艺成熟度和内部制造产能，以满足这些严苛的要求。

技术文章三：Qorvo——GaN 成功的十大秘诀

摘要：高性能氮化镓半导体技术已经开始进入基础设施、航空航天、国防和商用产品领域。Qorvo?致力于提供可靠的高性能器件，其专用GaN 技术成为高功率射频器件、功率放大器、晶体管、振荡器、开关等领域的先驱，为全球各地的大型企业解决面临的射频挑战。优质 GaN 供应商有哪些特点?继续阅读，了解更多。

技术文章四：最新功率GaN波形实时监视

摘要：功率氮化镓 (GaN) 器件是电源设计人员工具箱内令人激动的新成员。特别是对于那些想要深入研究GaN的较高开关频率如何能够导致更高频率和更高功率密度的开发人员更是如此。RF GaN是一项已大批量生产的经验证技术，由于其相对于硅材料所具有的优势，这项技术用于蜂窝基站和数款军用/航空航天系统中的功率放大器。在这篇文章中，我们将比较GaN FET与硅FET二者的退化机制，并讨论波形监视的必要性。(全球首款GaN产品)

技术文章五：Qorvo——GaN瞄准3.5 GHz，走向5G

摘要：无线网络基础设施需求料将继续快速增长。为了适应和满足这些需求，无线通信基础设施不断发展。网络运营商则一如既往地致力在成本、容量、覆盖率、用户体验质量、可靠性、功能性、互操作性、频谱效率、移动性等诸多方面取得持续改进。

摘要：从下一代的国防和航天应用，到有线电视、VSAT、点对点(PtP)、基站基础设施，Qorvo的GaN(氮化镓)产品和技术为您身边的各种系统提供领先的 性能支持，让您能够随时联网并受到保护。这些领先性能包括：高功率密度、宽频性能、高功率处理……阅读下面的“氮化镓的十个重要事实”，真正了解这个在我 们的工作和生活中发挥重要作用的关键技术。

技术文章七：Qorvo技术问答丨关于GaN应用选型中的几个常见问题解答

摘要：氮化镓（GaN）技术的性能优势使得其成为要求高功率密度、高功率附加效率、高耐用性、宽带性能和优异的防静电特性等特征的应用的完美选择，这些特征也正是氮化镓相对于其他半导体技术的优势所在。同时，通过其他各类应用需求又可以由已经成熟高性能砷化镓工艺来满足。作为氮化镓和砷化镓技术领域的领先供应商，Qorvo提供丰富的产品线、领先的性能，看看Qorvo如何解答大家常见的产品选择困惑。

摘要：氮化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花?看到 一些媒体文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会这样认为，毕竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作电压(减少了阻抗变 换损耗)，更高的效率并且能够在高频高带宽下大功率射频输出，这就是GaN，无论是在硅基、碳化硅衬底甚至是金刚石衬底的每个应用都表现出色！帅呆了！

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