屏蔽盖影响谐波的原因

问题：射频PA+FEM 加上屏蔽罩的传导杂散更差（DCS 的二三次谐波），不知是何原因，请赐教！
可能原因三个 :
1. 匹配组件受Shielding Cover 影响 以至于阻抗偏了如下图 :

若Shielding Cover 跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大尤其是早期0402 组件更容易这样 但现在0201 组件很少会这样了
2. RF 讯号泄漏到PA 的Vcc当你盖上屏蔽罩时 PA 会把RF 讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX 讯号若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX 讯号 会通通流到GND若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX 讯号一部分流到GND 一部分会再反射若反射的TX 讯号 打到PA 的Vcc 那当然TX 性能就劣化

3. 屏蔽罩跟PA 离太近 之间的寄生效应 改变了PA 特性
验证方式 :第一种现在很少见了 所以就不提第二种的话 可以这样验证 如下图:

因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差那凶手就可能是来自这原因值得注意的是 那个DC Block 要加避免Vcc 的直流电源 回灌到PA 或CMW500

第三种的话 在没加屏蔽罩状况下在PA 上方先贴个胶带 再随便放个金属片一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差那凶手就可能是来自这原因

解决方案:第一种现在很少见了 所以就不提第二种的话因为凶手是来自RF 讯号灌入Vcc 所以你在Vcc 那边摆放一个落地电容 让灌入Vcc 的RF 讯号流到GND既然你主频是DCS 以0201 的电容来讲 你就放个18 pF

第三种只能改结构要嘛把屏蔽罩跟PA 之间距离拉大不然就是PA 上方直接开天窗

微信万人群1.仅限射频人员，不重复加群2.先加群主，验证后邀请加入3.需要注明：单位+岗位/方向

射频百花潭关注国内最大的射频公众号

射频百花潭专注于射频微波/高频技术分享和信息传递。由资深射频专家、深圳兴森快捷射频实验室主任、《ADS2008/2011射频电路设计与仿真实例》《HFSS射频仿真设计实例大全》主编徐兴福建立。该号已经50000人关注，10000+人加群（博士2000+），包括很多公司总经理、总工、主任、技术总监、研发经理等，射频行业IEEE Fellow多名。