PA下方铺地不够，对RF性能的影响

以Thermal 的角度来分析，当你下层有地的时候，PA 散发的热，可以透过GND Via 导到下层地，先把热散掉一部分，其余再散到Main GND。

但是，如果下层不铺地

我们由下图的公式可知，电阻跟导线长度成正比，

而我们又知道Layer 1 => Main GND 的GND Via 长度肯定是比Layer 1 => Layer 2 的GND Via 长度还要来的长，这意味着，如果你光靠Main GND 来散热，那么GND Via 的电阻会变大，(因为长度较长)电阻越大，热就越不易传递。换言之，当你下层有铺地，热可以轻易透过GND Via 传导过去(因为距离短 电阻小)。但下层不铺地，那么热就不易透过GND Via 传导过去(因为距离长 电阻大)。此时散热效果就大打折扣，最糟情况是热都传不过去Main GND，全都积在PA下方。倘若PA 散热不好，温度高，一来是Gain 会下降

Gain 下降，则输出功率就变小。二来是温度一高，线性度就变差。

PA 线性度变差，那就是TX 性能会劣化。如果是GSM/WCDMA/LTE 这种对输出功率要求很严格的，可能须做温度补偿，使高温的输出功率，跟常温一样。一但这样，那情况更糟，因为这意味着，你要打更大的DAC / RGI，来达到Target Power，意即收发器的输出功率会变大，如下图 :

而由下图可知，PA 的input，其实就是DA 的Output[1]:

所以让DA 的输出功率变大，意味着DA 的线性度变差。换言之，可能此时PA input 的ACLR, EVM 就已经不好了，再经过PA 这个最大的非线性贡献者，只会更加劣化[1]。再加上高温使PA 线性度变差，TX 性能的劣化，就更雪上加霜。三来是温度一高，Thermal Noise 变大，RX 灵敏度就会差，如下图[2] :

当然，GSM 是分时多工，Tx 跟RX 不会同时运作，问题是，有可能RX 运作，TX Off 时，PCB 温度，瞬间从高温降到常温吗?当然不可能啊，即便TX Off，但PA 所导致的PCB 温度升高，会使RX 灵敏度劣化。四来是XO 会因高温频偏，那么就容易有Frequency error 了[3,4]。

第五是倘若双工器又离PA 特近，那主频功率会大幅衰减[5]。因为Duplexer 的频率响应，是会随温度而有所变动，如果离PA 过近，散热又不好，一旦高温使其频率响应有所偏移，那么很可能主频的功率，会大幅衰减。

尤其是像FBAR 这种Outband 砍比较深的，更会有这种现象。

第六就是VCO 的Phase Noise 会因高温变大，如下图 :

而由下图可知，Phase Noise 大，会提升讯号的Noise Floor，意即信噪比会下降，

而信噪比又与EVM 成反比，如下式[6] :

意即信噪比的下降，会导致EVM 的劣化。Reference[1] WCDMA 零中频发射机(TX)之调校指南与原理剖析, EDA365[2] GSM 射频接收机灵敏度之解析与研究, EDA365[3] 晶体振荡器(XO)与压控温补振荡器(VCTCXO)之比较, EDA365[4] TCXO, Temperature Compensated Crystal Oscillator[5] 双工器(Duplexer)之Layout 注意事项, EDA365[6] WCDMA 之零中频接收机原理剖析大全, EDA365

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